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STI3410A

发布时间:2017-3-21 7:56:00 访问次数:245 发布企业:深圳市近平电子有限公司

近几年来,NAND Flash受益于移动智能终端的崛起而快速向市场渗透,然工艺制程逐渐逼近物理极限的1Z纳米,容量更高、稳定性更好的3D NAND成为存储厂商新的工艺突破点。2016年,2D转3D 工艺衔接不畅造成了NAND Flash严重缺货,致其价格一路飙升,多家终端企业受到波及。据某数据调研公司预计,这种缺货及涨价趋势还将延续2017年一整年。这对产业链诸多企业来说,是极需突破的挑战。

STI3408 同步。降压 2.0〜6.0 1.0 1.5 0.6 0.25 0.2 Int SS / Comp SOT23-5 MP STI3410A 同步。降压 2.3〜6.0 1.2 1.5 0.6 0.13 0.12 Int SS / Comp SOT23-5 MP STI3410B 同步。降压 2.3〜6.0 1.5 1.5 0.6 0.13 0.1 Int SS / Comp SOT23-5 MP STI3411 同步。降压 2.3〜6.0 2.0 1.5 0.6 0.10 0.09 Int SS / Comp SOT23-6 MP STI3420 同步。降压 2.3〜6.0 2 1.5 0.6 0.1 0.09 Int SS / Comp DFN3x3-10 MP STI3430 同步。降压 2.3〜6.0 3 1.5 0.6 0.09 0.08 Int SS / Comp ESOP8 MP STI3470 同步。降压 4.5〜16 2 1.2 / 0.6 0.6 0.09 0.07 Int SS / Comp SOT23-6 MP STI3413 同步。降压 2.3〜6.0 3.0 1.5 0.6 0.09 0.07 Int SS / Comp SOT23-6 Q2 / 13 STI3471 同步。降压 4.5〜16 3.0 1.2 / 0.6 0.6 0.08 0.06 Int SS / Comp DFN3x3-10 Q2 / 13 STI3473 同步。降压 4.5〜16 3.0 1.2 / 0.6 0.923 0.09 0.07 Int SS / Comp ESOP8 Q2 / 13 2D减产3D良率不足致缺货

按照存储市场的发展规律,Q1是NAND Flash的传统淡季,然而集邦科技相关数据分析称,2017年Q1 NAND Flash的涨幅将在15%-20%,而这种趋势至少要持续到2017年的Q3,Q4是否延续还得看三星、东芝和美光64层3D NAND的产能而定。

缺货是半导体行业的常态,然而在淡季缺货程度如此明显则罕见,业界普遍认为,此次缺货归因于NAND Flash 2D转3D的青黄不接。

以往,存储芯片的工艺制程每升级一次,旧制程的产品都会以降价的方式迎接新产品面世,从90nm到15nm都遵循着这样的发展规律,3D NAND亦是如此。为迎接3D NAND到来,2016年Q1存储厂商便将 2D TLC的价格直接拉入了谷底,然而出乎意料的是,3D NAND良率不及预期,产品供应没能跟上。

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