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IRS2011STRPBF

发布时间:2017-3-20 15:23:00 访问次数:179 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号:IRS2011STRPBF

品牌: Infineon Technologies

参数说明:

驱动配置 半桥 通道类型 独立式 栅极类型 N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10 V ~ 20 V 逻辑电压- VIL,VIH 0.7V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,1A 输入类型 反相 高压侧电压 - 最大值(自举) 200V 上升/下降时间(典型值) 25ns,15ns 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 8-SOIC

深圳市中意法电子科技有限公司

联 系 人:吴茜

地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋西座408室

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