品牌： Infineon Technologies
参数说明：
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
10 V ~ 20 V
逻辑电压- VIL，VIH
0.7V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1A，1A
输入类型
反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
200V
上升/下降时间（典型值）
25ns，15ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
深圳市中意法电子科技有限公司
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