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IRLML2803TRPBF

发布时间:2017-3-20 15:16:00 访问次数:135 发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

型号:IRLML2803TRPBF

品牌: Infineon Technologies

参数说明:

  FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V Vgs(最大值) ±20V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 540mW(Ta) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 250 毫欧 @ 910mA,10V 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 Micro3™/SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

深圳市中意法电子科技有限公司

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