品牌： Infineon Technologies
参数说明：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
740pF @ 15V
Vgs（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
深圳市中意法电子科技有限公司
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