标题:STS4DNF60L
公司:ST产品参数:
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
55 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1030pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
联系人:吴茜
深圳市中意法电子科技有限公司
电话:(86)-755-83340938/15875563330
Q Q : 87363479, 2853522073
网址: http//www.sth-ic.com
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