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AO8814

发布时间:2017-3-15 14:49:00 访问次数:278 发布企业:智恩普半导体有限公司

数据列表:AO8814
标准包装:3,000
包装:标准卷带
类别:分立半导体产品
产品族:FET - 阵列
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1390pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-TSSOP




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