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STW56N65M2

发布时间:2017-3-15 11:47:00 访问次数:181 发布企业:深圳市铭昌源科技有限公司

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数据列表 STW56N65M2;
标准包装 30 包装 管件 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 MDmesh™ M2 其它名称 497-15594-5

规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 93nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 100V Vgs(最大值) ±25V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 358W(Tc) 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 62 毫欧 @ 24.5A,10V 工作温度 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-247 封装/外壳 TO-247-3

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