非隔离线性LED恒流驱动芯片CL1570
型号：CL1570
品牌：芯联
封装：TO-252
批号：16+
数量；90000
长期备有大量原装现货，欢迎来电咨询13714441972陈小姐/QQ：3012323310
销售代表：陈小姐
13714441972 /0755-83259945
QQ: 3012323310
地址：深圳市福田区中航路佳和大厦3C006
公司可开17%增值票和普票，如需开请说明！！
CL1570是一款非隔离线性LED恒流驱动芯片，可以实现高精度的LED恒流驱动。CL1570可通过外置检流电阻调节输出电流。
特性：
◆内置高压启动供电
◆±4%LED输出电流精度
◆输出电流外置可调：5mA~60mA
◆内部集成450V功率管
◆无需变压器
◆过温调节功能
◆外围线路简单，元器件少
◆芯片可直接焊在铝基板上
◆系统应用无EMI问题
◆CL1570采用TO-252-2L封装
应用范围：
◆LED吸顶灯
◆LED球泡灯
◆T5/T8系列LED日光灯管
◆其他LED照明
CL6807
CL1221
CL1226
CL1223
CL1224
CL1120
CL1158
CL1200
CL1131
CL1360
芯联一级代理商 深圳市哲瀚电子科技有限公司13714441972 0755-83259945 陈小姐QQ：3012323310
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)高性能设备的研究刚刚起步。美国也在积极研究，世界开发竞争激烈。
日联合团队制作了高质量2英寸GaN芯片和MOSFET。三菱化学面向功率半导体改良了GaN芯片量产技术“氨热热法”。优化晶体成长条件，将芯片平均缺陷密度，减少到以往的数百分之一、每1平方厘米数千个水平。他们2018年度目标是使缺陷进一步降低1位数以上，实现4英寸大尺寸芯片。
富士电机等制作的MOSFET，元件性能指标之一的移动度比碳化硅功率半导体高，确保了实际工作所必要的正阈值电压。GaN的MOSFET兼有这些特性为首例。丰田中央研究所通过新离子注入法试制成功了GaN的pn结。
“新一代功率电子工业”为日内阁府发展战略性创新创造计划的一环。今后，日研究团队将从芯片到元件形成、加工技术、基础物性的解读等各个方面入手，检验其实用性，特别要将元件纵型制作，以便通过大电流。
公司:深圳市哲瀚电子科技有限公司
联系人:陈小姐
手机:13714441972
电话:0755-82549527/83259945/13714441972
传真:0755-83259945
地址:深圳市福田区深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦3C006
