RU55110R
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RUH3051M DFN5060
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RUICHIPS专业从事功率集成电路、功率器件系列的设计及半导体微电子相关产品的研发；生产规模不断扩大，产品涵盖了MOSFET、IC、开关稳压管等。
我们的大电流，大功率，超低阻抗，超快速开关MOS ，拟填补国内空白，在其他产业也都有广泛的应用（如：电源，UPS,SMPS,Battery,逆变器，功放，各类消费类电子）。
公司也积极的部署IGBT /CMOS产品的研发，在电源管理芯片方面已流片成功CMOS 工艺为制程的16路恒流源，最小线宽0.35UM，以及各类开关稳压管、各种低压差线性稳压器。产品具备高驱动能力、集成度高、体积小而且环保节能的优点，主要应用于LED驱动，未来还将在AC-DC、DC-DC方面加大研发力，提供一个具有成本效益的新一代大功率大电流MOSFET，同时也为客户提供定制的系统设计。依托于持之以恒的研发投入，RUICHIPS一直在稳定、持续、快速的发展，为客户提供优质、创新、低成本的集成电路产品和应用系统。
Ruichips是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的高新技术企业，在适配器快充、移动快充、车充、电机控制、新能源、逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位，RUICHIPS致力于新产品研发，持续更新/优化新工艺、新技术，现有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大类产品线、数百种型号，累计获得国家发明专利18项，尤其是RUICHIPS独创的TO-220内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 [1] 。
2
RU2H35R TO-220
RU2H35S TO-263
RU2H35Q TO-247
RU2H50S TO-263
RU2H50Q TO-247
RU2H50R TO-220
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