深圳中意法电子科技有限公司
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制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IRFB3607PBF
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体 数据列表 IRF(B,S,SL)3607PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 组件/产地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 14/Mar/2014
TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016
PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装
管件
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 3070pF @ 50V
功率 - 最大值 140W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
