深圳中意法电子科技有限公司
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现有数量 12,000
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制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IPB025N10N3 G
描述 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体 数据列表 IPB025N10N3 G
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装
带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 14800pF @ 50V
功率 - 最大值 300W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装 PG-TO263-7
