RU1HP60S,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.原厂直供代理销售现货供应RUICHIPS全系列产品.
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RUH30J30M DFN5060
RUH30J51M DFN5060
RUH3051M DFN5060
RUH3051L TO-252
RUH3051H SOP-8
RUH3051M2 DFN3333
RU1HP60RTO-220RUH30100M DFN5060
RUH3090L TO-252
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RU20D40M3DFN3030
RUICHIPS专业从事功率集成电路、功率器件系列的设计及半导体微电子相关产品的研发；生产规模不断扩大，产品涵盖了MOSFET、IC、开关稳压管等。
我们的大电流，大功率，超低阻抗，超快速开关MOS ，拟填补国内空白，在其他产业也都有广泛的应用（如：电源，UPS,SMPS,Battery,逆变器，功放，各类消费类电子）。
公司也积极的部署IGBT /CMOS产品的研发，在电源管理芯片方面已流片成功CMOS 工艺为制程的16路恒流源，最小线宽0.35UM，以及各类开关稳压管、各种低压差线性稳压器。产品具备高驱动能力、集成度高、体积小而且环保节能的优点，主要应用于LED驱动，未来还将在AC-DC、DC-DC方面加大研发力，提供一个具有成本效益的新一代大功率大电流MOSFET，同时也为客户提供定制的系统设计。依托于持之以恒的研发投入，RUICHIPS一直在稳定、持续、快速的发展，为客户提供优质、创新、低成本的集成电路产品和应用系统。
Ruichips是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的高新技术企业，在适配器快充、移动快充、车充、电机控制、新能源、逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位，RUICHIPS致力于新产品研发，持续更新/优化新工艺、新技术，现有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大类产品线、数百种型号，累计获得国家发明专利18项，尤其是RUICHIPS独创的TO-220内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 [1] 。
2
RU2H35R TO-220
RU2H35S TO-263
RU2H35Q TO-247
RU2H50S TO-263
RU2H50Q TO-247
RU2H50R TO-220
RU2H80R TO-220
RU2H100R TO-220
RU2H100Q TO-247
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RUH30120L TO-252
RUH30140M DFN5060
RUH30150M DFN5060
RUH40D9H SOP-8
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RUH4020H SOP-8
RUH4022H SOP-8
RUH4022M2 DFN3333
RUH40E25L TO-252
RU30120S /RU30160R RU40191S////RU40191S-R
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贴片二极管
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SS26SS36SS56SS110SS210SS310SS510
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贴片三极管
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74HCT04D
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DF100LA160
DF100LA160
TVR07330KSY
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DF100LA160
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DFA200AA160
FOTEK固态继电器交流.交流有:
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SSR-15AA
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单相直流触发 SSR-10DA 3～32VDC 24～380VAC 10A
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SSR-40DA 40A
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SSR-40DA-H 40A
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单相交流触发 SSR-10AA 80～250VAC 24～380VAC 10A
SSR-25AA 25A
SSR-40AA 40A
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SSR-10AA-H 80～250VAC 90～660VAC 10A
SSR-25AA-H 25A
SSR-40AA-H 40A
SSR-50AA-H 50A
SSR-75AA-H 75A SSR-90AA-H 90A SSR-120AA-H 120A
0755-82732291
电压可调型 SSR-10VA 110V／250K，220V／500K，380V／1M 24～380VAC 10A
SSR-25VA 25A
SSR-40VA 40A
SSR-50VA 50A
SSR-75VA 75A
0755-85274662
电压可调型 高精度 SSR-10VAR 110V／250K，220V／500K，380V／1M 24～380VAC 10A
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QQ:1755232575
直流电压 SSR-05DD 3～32VDC 5～60VDC 5A
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QQ:1157611585
小电流型 SSR-03DA 3～32VDC 24～380VAC 3A
SSR-03DD 5～60VDC 3A
微信:87680558或者SET87680558
电流触发型 SSR-25LA 4-20mA 90～250VAC 25A
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SSR-50LA 50A
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SSR-25LA-H 4-20mA 250～480VAC 25A
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SSR-50LA-H 50A
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SSR-75AA
SSR-90AA
FOTEK固态继电器:直流.交流有:
SSR-10DA
SSR-15DA
SSR-25DA
SSR-40DA
SSR-60DA
SSR-75DA
SSR-90DA
FOTEK固态继电器固态调压器:
SSR-10VA
SSR-15VA
SSR-25VA
SSR-40VA
SSR-60VA
如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购请联系我们的工作人员电话：零七五五---八二七三二二九一/零七五五---八五二七四六六二,QQ:一一七四零五二三五三/买一八五二三四六九零六QQ：1755232575/QQ：1157611585电话：0755-82732291/0755-85274662.
