OCP8150是一款高精度离线式LED恒流驱动芯片，可应用于输出功率30W以内的LED恒流驱动电源，支持全电压输入AC 85V~264V。
芯片采用较小体积的SOT23-5封装，采用原边反馈技术，无需TL431、光耦和反馈电路便能实现很好的线电压调整率和负载调整率，极大的节约了系统成本和尺寸空间。
OCP8150具备完善的保护功能，其利用VDD脚进行过压检测，一旦检测到过压信号芯片便进入打嗝工作状态；芯片利用FB管脚实现了短路检测，一旦发现短路信号芯片便会进入较低的工作频率以限制输出功率；同时芯片还具备欠压锁定和过温保护功能以保证整个系统在恶劣的工作环境中安全可靠的工作。
特点：
·采用原边反馈技术，无需次级反馈电路
·±3%的恒流精度
·高达30W的输出驱动能力
·支持AC 85V~264V全电压输入
·LED开路保护和短路保护
·芯片过温保护
·欠压锁定功能
·CS脚电阻开路保护
应用：
·LED日光灯
·GU10、E27、Par灯、筒灯、球泡灯
·其他LED照明
这几年国产芯片替代概念推动了国内半导体公司的加速发展。除了处理器芯片外，存储器的发展也得包括政府、市场资本、行业巨头厂商的高度关注。不过，受制于技术等原因，全球90%的DRAM市场份被三星、海力士和美光三家厂商占据。 现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。
国内厂商想要有所突破，除了加大投入和研发外，一定程度也需要外力支持。近日，半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass 首席执行官Charlie Cheng 现身北京向媒体介绍公司的最新技术。
据了解， Kilopass科技有限公司是嵌入式非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)技术的领导者。其商业模式和在前一段时间软银拿数百亿美金收购的ARM一样，都是采用为芯片设计和制造公司提供作为设计单元组件的“知识产权”又称IP产品。
目前，Kilopass拥有专利的技术暨一次性可编程(OTP)NVM解决方案，拥有可扩展到各种先进CMOS工艺制程的无限容量，它们可被移植到每一家重要的代工厂和整合器件制造商(IDM)，且满足了市场对更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。
当前，Kilopass 的技术已被超过170家企业客户所采用，至今已累计售出100亿块包含Kilopass技术的芯片，涉及400多种芯片设计，应用范围涵盖了工业、汽车、消费电子产品、移动设备、模拟和混合信号以及物联网(IoT)等。
在此次会议上，Charlie Cheng 宣布推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。
晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器;与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明，之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。
Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。
此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。
Kilopass首席执行官Charlie Cheng表示，“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”
VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，测试结果与器件仿真系统TCAD具有优异的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片，早期芯片测试正在进行当中。
供货方面，现在已可以向数量有限的特许受让人提供VLT DRAM技术，用于20nm到31nm工艺技术节点。Kilopass已使用其突破性的TCAD模拟器，在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。
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