SI7617DN-T1-GE3
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
商标:Vishay Semiconductors
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:- 30 V
Id-连续漏极电流:- 35 A
Rds On-漏源导通电阻:12.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:20.5 nC
最大工作温度:+ 150 C
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:11 ns
正向跨导 - 最小值:35 S
最小工作温度:- 55 C
Pd-功率耗散:52 W
上升时间:43 ns
工厂包装数量:3000
晶体管类型:1 P-Channel
典型关闭延迟时间:30 ns
典型接通延迟时间:40 ns
零件号别名:SI7617DN-GE3
