安森美推HighQ硅-铜集成无源器件制造工艺
发布时间:2008/5/22 0:00:00 访问次数:76
工艺
highq制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、mim电容器(0.62ff/um2)以及tin电阻器(9ohms/square),工艺成熟,将满足全部可靠性评估标准,显示了该方案的稳健。
加工温度-65℃/150℃
金属、vias和mim电容器上固有的稳定性
高温反位相(op)寿命(150℃,504小时)
额定esd:hbm,mm
ipd产品
highq制造工艺可用于不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等便携和无线应用产品。安森美半导体目前正在开发highq高带宽滤波器系列,用于在高速串行接口上降低电磁干扰(emi)。样品将于今年夏季推出,计划在第四季度生产。
ipd设计工具
安森美半导体为制造服务的客户提供用于ipd技术的设计组件,能够有效仿真的第一硅方案结果,并包含标准的cadence设计工具:
pcell生产器、views等;
cadenceassuradrc、lvs;
带有安捷伦ads模型的cadencerfde环境;
从布局到hfss仿真环境全自动转化
安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件,帮助他们进行快速的建立原型。
工艺
highq制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、mim电容器(0.62ff/um2)以及tin电阻器(9ohms/square),工艺成熟,将满足全部可靠性评估标准,显示了该方案的稳健。
加工温度-65℃/150℃
金属、vias和mim电容器上固有的稳定性
高温反位相(op)寿命(150℃,504小时)
额定esd:hbm,mm
ipd产品
highq制造工艺可用于不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等便携和无线应用产品。安森美半导体目前正在开发highq高带宽滤波器系列,用于在高速串行接口上降低电磁干扰(emi)。样品将于今年夏季推出,计划在第四季度生产。
ipd设计工具
安森美半导体为制造服务的客户提供用于ipd技术的设计组件,能够有效仿真的第一硅方案结果,并包含标准的cadence设计工具:
pcell生产器、views等;
cadenceassuradrc、lvs;
带有安捷伦ads模型的cadencerfde环境;
从布局到hfss仿真环境全自动转化
安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件,帮助他们进行快速的建立原型。