半导体方案供应商安森美半导体(onsemiconductor，onsemi)宣布，将其制造工艺技术扩大到highq硅-铜集成无源器件(ipd)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。

工艺

highq制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、mim电容器(0.62ff/um2)以及tin电阻器(9ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。

加工温度-65℃/150℃

金属、vias和mim电容器上固有的稳定性

高温反位相(op)寿命(150℃,504小时)

额定esd：hbm，mm

ipd产品

highq制造工艺可用于不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等便携和无线应用产品。安森美半导体目前正在开发highq高带宽滤波器系列，用于在高速串行接口上降低电磁干扰(emi)。样品将于今年夏季推出，计划在第四季度生产。

ipd设计工具

安森美半导体为制造服务的客户提供用于ipd技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的cadence设计工具：

pcell生产器、views等；

cadenceassuradrc、lvs；

带有安捷伦ads模型的cadencerfde环境；

从布局到hfss仿真环境全自动转化

安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件，帮助他们进行快速的建立原型。