LM74610-Q1晶体管 (MOSFET) 电荷泵栅极驱动肖特基二极管/PFET 解决方案
发布时间:2019/9/2 12:28:57 访问次数:1628
- 51电子网公益库存:
- G5LE-14-(12VDC)
- G5V-1-24V
- 50ZLJ680M12.5X25
- HCPL-7800
- TL3845P
- NE555P
- LM393N
- TLP781
- SCN2651CC1N28
- G4F-11123T-12VDC
- UC3875N
- DS12c887
- THX203H
- TFC718S
- RM6203
- RL-UM12BS-8188EUS妯″潡
- FU6831Q
- FU6831N
- FU6812
- LFU6831L
- ADC0831CCN
- RX-2
- LM361
- DS88C20N
- 74HC14D
- 74HC08N
描述
lm74610-q1 是一款控制器器件
可与 n 沟道 mosfet 一同用于反极性保护电路
其设计用于驱动外部 mosfet
串联电源时可模拟理想二极管整流器
该机制的独特优势在于不以接地为参考
因此 iq 为零
lm74610-q1 控制器
为外部 n 沟道 mosfet 提供栅极驱动
并配有快速响应内部比较器
可使 mosfet 栅极在反极性情况下放电
这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时
反向电流的大小和持续时间
该器件设计选用了合适的 tvs 二极管
符合 cispr25 5 类
emi 规范
汽车类 iso7637 瞬态要求
特性
符合汽车应用要求
具有符合 aec-q100 下列结果：
超出人体模型 (hbm)
静电放电 (esd) 分类等级 2
器件充电器件模型 (cdm)
esd 分类等级 c4b
最低反向电压：45v
正极引脚无正电压限制
适用于外部 n 沟道金属氧化物半导体场效应
晶体管 (mosfet) 的电荷泵栅极驱动器
功耗比肖特基二极管/pfet 解决方案更低
低反极性泄漏电流
零 iq
2μs 内快速响应反极性情况
-40°c 至 125°c 工作环境温度
可用于 or-ing 应用
符合 cispr25 emi 规范
选用了合适的瞬态电压抑制器 (tvs) 二极管
满足汽车类 iso7637 瞬态要求
应用
高级驾驶员辅助系统 (adas)
信息娱乐系统
电动工具（工业）
传输控制单元 (tcu)
电池 or-ing 应用
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- G5V-1-24V
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- NE555P
- LM393N
- TLP781
- SCN2651CC1N28
- G4F-11123T-12VDC
- UC3875N
- DS12c887
- THX203H
- TFC718S
- RM6203
- RL-UM12BS-8188EUS妯″潡
- FU6831Q
- FU6831N
- FU6812
- LFU6831L
- ADC0831CCN
- RX-2
- LM361
- DS88C20N
- 74HC14D
- 74HC08N
描述
lm74610-q1 是一款控制器器件
可与 n 沟道 mosfet 一同用于反极性保护电路
其设计用于驱动外部 mosfet
串联电源时可模拟理想二极管整流器
该机制的独特优势在于不以接地为参考
因此 iq 为零
lm74610-q1 控制器
为外部 n 沟道 mosfet 提供栅极驱动
并配有快速响应内部比较器
可使 mosfet 栅极在反极性情况下放电
这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时
反向电流的大小和持续时间
该器件设计选用了合适的 tvs 二极管
符合 cispr25 5 类
emi 规范
汽车类 iso7637 瞬态要求
特性
符合汽车应用要求
具有符合 aec-q100 下列结果：
超出人体模型 (hbm)
静电放电 (esd) 分类等级 2
器件充电器件模型 (cdm)
esd 分类等级 c4b
最低反向电压：45v
正极引脚无正电压限制
适用于外部 n 沟道金属氧化物半导体场效应
晶体管 (mosfet) 的电荷泵栅极驱动器
功耗比肖特基二极管/pfet 解决方案更低
低反极性泄漏电流
零 iq
2μs 内快速响应反极性情况
-40°c 至 125°c 工作环境温度
可用于 or-ing 应用
符合 cispr25 emi 规范
选用了合适的瞬态电压抑制器 (tvs) 二极管
满足汽车类 iso7637 瞬态要求
应用
高级驾驶员辅助系统 (adas)
信息娱乐系统
电动工具（工业）
传输控制单元 (tcu)
电池 or-ing 应用
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