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​SN74LVC1G08输入接受电压CMOS器件高输出驱动单路2输入正与门设计

发布时间:2019/5/14 10:11:48 访问次数:1003

sn74lvc1g08 (active)

该单路2输入正与门设计用于1.65 v至5.5 v vcc操作。

sn74lvc1g08器件执行布尔函数或正逻辑。

cmos器件具有高输出驱动,


51电子网公益库存:
AS3441
AS5311-ATST-1000
ATCPZ003-UUCZ
B0505LM-1W銆愮壒浠枫
B0505S-W2R2銆愮壒浠枫
0000000.3050.024.00
0473007.YRT1L
08055C104K4T2A
0850BM14E0016T
1-1634009-0
12059894
1445022-2
1-480699-0
16SEPF560M
16SVQP39M
173D105X9025U
1-776546-1
1ED020I12FA2
1MBI600U4-120
20SEPF560M
23K640-I/ST
245805030000829+
25SEPF180M
25SVPF180M







http://tenghaowy.51dzw.com








/http://tx168.51dzw.com/


同时在宽vcc工作范围内保持低静态功耗。

sn74lvc1g08提供多种封装,

包括体积为0.8 mm×0.8 mm的超小型dpw封装。

特征

提供超小型0.64平方毫米

包装(dpw),0.5毫米间距

支持5v vcc操作

输入接受电压至5.5 v.

向vcc提供向下转换

3.3 v时最大tpd为3.6 ns

低功耗,

10-μa最大icc

__kindeditor_temp_url__

sn74lvc1g08


±24 ma输出驱动,3.3 v

ioff支持实时插入,

部分关机模式和后驱保护

闩锁性能超过100 ma

•支持5v vcc操作

•输入接受电压至5.5 v.

•向vcc提供向下转换

•3.3 v时最大tpd为3.6 ns

•低功耗,10-μa最大icc

•±24 ma输出驱动,3.3 v

•ioff支持实时插入,部分关机

模式和后驱保护

•闩锁性能超过100 ma

根据jesd 78,class ii

•esd保护超过jesd 22

-  2000-v人体模型http://szhsddz.51dzw.com(a114-a)

-  200 v机型(a115-a)

-  1000 v充电设备型号(c101)



(素材来源:teaxslnstruments.如涉版权请联系删除。特别感谢)


sn74lvc1g08 (active)

该单路2输入正与门设计用于1.65 v至5.5 v vcc操作。

sn74lvc1g08器件执行布尔函数或正逻辑。

cmos器件具有高输出驱动,


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0000000.3050.024.00
0473007.YRT1L
08055C104K4T2A
0850BM14E0016T
1-1634009-0
12059894
1445022-2
1-480699-0
16SEPF560M
16SVQP39M
173D105X9025U
1-776546-1
1ED020I12FA2
1MBI600U4-120
20SEPF560M
23K640-I/ST
245805030000829+
25SEPF180M
25SVPF180M







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同时在宽vcc工作范围内保持低静态功耗。

sn74lvc1g08提供多种封装,

包括体积为0.8 mm×0.8 mm的超小型dpw封装。

特征

提供超小型0.64平方毫米

包装(dpw),0.5毫米间距

支持5v vcc操作

输入接受电压至5.5 v.

向vcc提供向下转换

3.3 v时最大tpd为3.6 ns

低功耗,

10-μa最大icc

__kindeditor_temp_url__

sn74lvc1g08


±24 ma输出驱动,3.3 v

ioff支持实时插入,

部分关机模式和后驱保护

闩锁性能超过100 ma

•支持5v vcc操作

•输入接受电压至5.5 v.

•向vcc提供向下转换

•3.3 v时最大tpd为3.6 ns

•低功耗,10-μa最大icc

•±24 ma输出驱动,3.3 v

•ioff支持实时插入,部分关机

模式和后驱保护

•闩锁性能超过100 ma

根据jesd 78,class ii

•esd保护超过jesd 22

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