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MMBR4957LT1集电极 - 发射放大器振荡和混频应用

发布时间:2019/5/7 9:23:22 访问次数:12373

mmbr4957lt1


半导体技术数据rf线

专为高增益,

低噪声放大器振荡器和混频器应用而设计。

专门用于使用表面贴装的厚膜和薄膜电路

组件。

51电子网公益库存:
FJT44KTF
FL2D-30-472
FM1702SL
FOD050L
FP6719
FPF2100
FQA36P15
FQD13N06LTM
FS8860-33
FSB560A
FSB619
FT813Q-T
GL823
GL850G
GSC-2401-R
GT-2050R
GT-205J
H1103NL
H11L1
H30E8E
H5120NL
H92B4










http://szhsddz.51dzw.com






http://szhsddz3.51dzw.com





•高增益 -  gpe = 17 db typ @ f = 450 mhz

•低噪声 -  nf = 3.0 db typ @ f = 450 mhz

•通过添加后缀提供卷带包装选项:

t1后缀=每卷3,000个单位

t3后缀=每卷10,000个单位

最大额定值

评级符号值单位

集电极 - 发射极电压vceo -30 vdc

集电极 - 基极电压vcbo -30 vdc

发射极 - 基极电压vebo -3.0 vdc

集电极电流 - 连续ic -30 madc

最高结温tjmax 150°c

功耗,tcase = 75°c *

在tcase = 75°c以上http://gll.51dzw.com/线性降低@

pd(最大值)0.278

3.70

w ^

毫瓦/℃

热特性

特征符号最大单位

储存温度tstg -55至+ 150°c

热阻结至外壳*rθjc270°c / w.

*包装安装在99.5%氧化铝10 x 8 x 0.6 mm上。

设备标记

mmbr4957lt1,t3 = 7f

电气特性(除非另有说明,否则ta = 25°c。)

集电极 - 发射极击穿电压(ic = -1.0 madc,ib = 0)v(br)ceo -30  -   -  vdc

集电极 - 基极击穿电压(ic =-100μadc,ie = 0)v(br)cbo -30  -   -  vdc

发射极 - 基极击穿电压http://xiangxing.51dzw.com(ie =-100μadc,ic = 0)v(br)ebo -3.0  -   -  vdc

集电极截止电流(vcb = -10 vdc,ic = 0)icbo  -   - -0.1μadc

关于特征

直流电流增益(ic = -2.0 madc,vce = -10 vdc)hfe 20  -  150  -

小信号特征

电流增益 - 带宽积

(ie = -2.0 madc,vce = -10 vdc,f = 100 mhz)

ft  -  1200  -  mhz

集电极 - 基极电容

(vcb = -10 vdc,ie = 0,f = 1.0 mhz)

ccb  -   -  0.8 pf

共发射放大器功率增益

(vce = -10 vdc,ic = -2.0 madc,f = 450 mhz)

gpe  -  17  -  db

噪声系数(ic = -2.0 madc,vce http://tenghaowy.51dzw.com= -10 vdc,f = 450 mhz)nf  -  3.0  -  db

(素材来源:alldatasheet.如涉版权问题,请及时联系删除. 配图仅供参考.特别感谢!)



mmbr4957lt1


半导体技术数据rf线

专为高增益,

低噪声放大器振荡器和混频器应用而设计。

专门用于使用表面贴装的厚膜和薄膜电路

组件。

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H30E8E
H5120NL
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•高增益 -  gpe = 17 db typ @ f = 450 mhz

•低噪声 -  nf = 3.0 db typ @ f = 450 mhz

•通过添加后缀提供卷带包装选项:

t1后缀=每卷3,000个单位

t3后缀=每卷10,000个单位

最大额定值

评级符号值单位

集电极 - 发射极电压vceo -30 vdc

集电极 - 基极电压vcbo -30 vdc

发射极 - 基极电压vebo -3.0 vdc

集电极电流 - 连续ic -30 madc

最高结温tjmax 150°c

功耗,tcase = 75°c *

在tcase = 75°c以上http://gll.51dzw.com/线性降低@

pd(最大值)0.278

3.70

w ^

毫瓦/℃

热特性

特征符号最大单位

储存温度tstg -55至+ 150°c

热阻结至外壳*rθjc270°c / w.

*包装安装在99.5%氧化铝10 x 8 x 0.6 mm上。

设备标记

mmbr4957lt1,t3 = 7f

电气特性(除非另有说明,否则ta = 25°c。)

集电极 - 发射极击穿电压(ic = -1.0 madc,ib = 0)v(br)ceo -30  -   -  vdc

集电极 - 基极击穿电压(ic =-100μadc,ie = 0)v(br)cbo -30  -   -  vdc

发射极 - 基极击穿电压http://xiangxing.51dzw.com(ie =-100μadc,ic = 0)v(br)ebo -3.0  -   -  vdc

集电极截止电流(vcb = -10 vdc,ic = 0)icbo  -   - -0.1μadc

关于特征

直流电流增益(ic = -2.0 madc,vce = -10 vdc)hfe 20  -  150  -

小信号特征

电流增益 - 带宽积

(ie = -2.0 madc,vce = -10 vdc,f = 100 mhz)

ft  -  1200  -  mhz

集电极 - 基极电容

(vcb = -10 vdc,ie = 0,f = 1.0 mhz)

ccb  -   -  0.8 pf

共发射放大器功率增益

(vce = -10 vdc,ic = -2.0 madc,f = 450 mhz)

gpe  -  17  -  db

噪声系数(ic = -2.0 madc,vce http://tenghaowy.51dzw.com= -10 vdc,f = 450 mhz)nf  -  3.0  -  db

(素材来源:alldatasheet.如涉版权问题,请及时联系删除. 配图仅供参考.特别感谢!)



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