MMBR4957LT1集电极 - 发射放大器振荡和混频应用
发布时间:2019/5/7 9:23:22 访问次数:12373
半导体技术数据rf线
专为高增益,
低噪声放大器振荡器和混频器应用而设计。
专门用于使用表面贴装的厚膜和薄膜电路
组件。
- 51电子网公益库存:
- FJT44KTF
- FL2D-30-472
- FM1702SL
- FOD050L
- FP6719
- FPF2100
- FQA36P15
- FQD13N06LTM
- FS8860-33
- FSB560A
- FSB619
- FT813Q-T
- GL823
- GL850G
- GSC-2401-R
- GT-2050R
- GT-205J
- H1103NL
- H11L1
- H30E8E
- H5120NL
- H92B4
•高增益 - gpe = 17 db typ @ f = 450 mhz
•低噪声 - nf = 3.0 db typ @ f = 450 mhz
•通过添加后缀提供卷带包装选项:
t1后缀=每卷3,000个单位
t3后缀=每卷10,000个单位
最大额定值
评级符号值单位
集电极 - 发射极电压vceo -30 vdc
集电极 - 基极电压vcbo -30 vdc
发射极 - 基极电压vebo -3.0 vdc
集电极电流 - 连续ic -30 madc
最高结温tjmax 150°c
功耗,tcase = 75°c *
在tcase = 75°c以上http://gll.51dzw.com/线性降低@
pd(最大值)0.278
3.70
w ^
毫瓦/℃
热特性
特征符号最大单位
储存温度tstg -55至+ 150°c
热阻结至外壳*rθjc270°c / w.
*包装安装在99.5%氧化铝10 x 8 x 0.6 mm上。
设备标记
mmbr4957lt1,t3 = 7f
电气特性(除非另有说明,否则ta = 25°c。)
集电极 - 发射极击穿电压(ic = -1.0 madc,ib = 0)v(br)ceo -30 - - vdc
集电极 - 基极击穿电压(ic =-100μadc,ie = 0)v(br)cbo -30 - - vdc
发射极 - 基极击穿电压http://xiangxing.51dzw.com(ie =-100μadc,ic = 0)v(br)ebo -3.0 - - vdc
集电极截止电流(vcb = -10 vdc,ic = 0)icbo - - -0.1μadc
关于特征
直流电流增益(ic = -2.0 madc,vce = -10 vdc)hfe 20 - 150 -
小信号特征
电流增益 - 带宽积
(ie = -2.0 madc,vce = -10 vdc,f = 100 mhz)
ft - 1200 - mhz
集电极 - 基极电容
(vcb = -10 vdc,ie = 0,f = 1.0 mhz)
ccb - - 0.8 pf
共发射放大器功率增益
(vce = -10 vdc,ic = -2.0 madc,f = 450 mhz)
gpe - 17 - db
噪声系数(ic = -2.0 madc,vce http://tenghaowy.51dzw.com= -10 vdc,f = 450 mhz)nf - 3.0 - db
(素材来源:alldatasheet.如涉版权问题,请及时联系删除. 配图仅供参考.特别感谢!)
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专为高增益,
低噪声放大器振荡器和混频器应用而设计。
专门用于使用表面贴装的厚膜和薄膜电路
组件。
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- FL2D-30-472
- FM1702SL
- FOD050L
- FP6719
- FPF2100
- FQA36P15
- FQD13N06LTM
- FS8860-33
- FSB560A
- FSB619
- FT813Q-T
- GL823
- GL850G
- GSC-2401-R
- GT-2050R
- GT-205J
- H1103NL
- H11L1
- H30E8E
- H5120NL
- H92B4
•高增益 - gpe = 17 db typ @ f = 450 mhz
•低噪声 - nf = 3.0 db typ @ f = 450 mhz
•通过添加后缀提供卷带包装选项:
t1后缀=每卷3,000个单位
t3后缀=每卷10,000个单位
最大额定值
评级符号值单位
集电极 - 发射极电压vceo -30 vdc
集电极 - 基极电压vcbo -30 vdc
发射极 - 基极电压vebo -3.0 vdc
集电极电流 - 连续ic -30 madc
最高结温tjmax 150°c
功耗,tcase = 75°c *
在tcase = 75°c以上http://gll.51dzw.com/线性降低@
pd(最大值)0.278
3.70
w ^
毫瓦/℃
热特性
特征符号最大单位
储存温度tstg -55至+ 150°c
热阻结至外壳*rθjc270°c / w.
*包装安装在99.5%氧化铝10 x 8 x 0.6 mm上。
设备标记
mmbr4957lt1,t3 = 7f
电气特性(除非另有说明,否则ta = 25°c。)
集电极 - 发射极击穿电压(ic = -1.0 madc,ib = 0)v(br)ceo -30 - - vdc
集电极 - 基极击穿电压(ic =-100μadc,ie = 0)v(br)cbo -30 - - vdc
发射极 - 基极击穿电压http://xiangxing.51dzw.com(ie =-100μadc,ic = 0)v(br)ebo -3.0 - - vdc
集电极截止电流(vcb = -10 vdc,ic = 0)icbo - - -0.1μadc
关于特征
直流电流增益(ic = -2.0 madc,vce = -10 vdc)hfe 20 - 150 -
小信号特征
电流增益 - 带宽积
(ie = -2.0 madc,vce = -10 vdc,f = 100 mhz)
ft - 1200 - mhz
集电极 - 基极电容
(vcb = -10 vdc,ie = 0,f = 1.0 mhz)
ccb - - 0.8 pf
共发射放大器功率增益
(vce = -10 vdc,ic = -2.0 madc,f = 450 mhz)
gpe - 17 - db
噪声系数(ic = -2.0 madc,vce http://tenghaowy.51dzw.com= -10 vdc,f = 450 mhz)nf - 3.0 - db
(素材来源:alldatasheet.如涉版权问题,请及时联系删除. 配图仅供参考.特别感谢!)