UCC21710-Q1单通道栅极驱动SiO2电容隔离技术与输出
发布时间:2019/4/22 9:46:04 访问次数:1348
一款电流隔离式单通道栅极驱动器,
设计用于高达1700v的sic mosfet和igbt,
具有先进的保护功能,
- 51电子网公益库存:
- 74HC86D
- 74HCT132D
- 74HCT373N
- 74LCX245MTCX
- ADA4861-3YRZ
- ADA4895-2ARMZ
- ADAU1401AWBSTZ-RL
- ADC0808CCJ
- ADC0820CCD
- ADE7858ACPZ
- ADF7021BCPZ
- ADG431TQ
- ADG441BNZ
- A0522A
- AD5444YRMZ
- ADC12034CIN
- ADC-830C
- ADM2682EBRIZ-RL7
- ADM3075EARZ
- ADM3101EACPZ-REEL
- ADMP405ACEZ
- ADMP421ACEZ
- ADP1714AUJZ-1.1-R7
- ADP1715ARMZ-R7
同类最佳的动态性能和稳健性。
输入侧采用sio2电容隔离技术与输出侧隔离,
支持高达1.5kvrms工作电压,
12.8kvpk浪涌抗扰度,
隔离屏障寿命长于40年,
并提供较低的部件间偏斜和高cmti。
特性
单通道sic / igbt隔离栅极驱动器
aec-q100符合汽车应用要求(资格计划)
sic mosfet和igbt高达1700 v.
33v最大输出驱动电压(vdd-com)
高峰值驱动电流和高cmti
有源米勒钳
uvlo,rdy功率良好
小传播延迟和脉冲/部分偏斜
工作温度范围为-40°c至125°c
安全相关认证(计划):
根据din v vde v 0884-11(vde v 0884-11)
进行8000-vpk viotm
2121-vpk viorm增强隔离:2017-01
每ul1577进行5700-vrms隔离1分钟
( 素材图片出自:texas instruments.权利归原作所有,特别感谢!)
一款电流隔离式单通道栅极驱动器,
设计用于高达1700v的sic mosfet和igbt,
具有先进的保护功能,
- 51电子网公益库存:
- 74HC86D
- 74HCT132D
- 74HCT373N
- 74LCX245MTCX
- ADA4861-3YRZ
- ADA4895-2ARMZ
- ADAU1401AWBSTZ-RL
- ADC0808CCJ
- ADC0820CCD
- ADE7858ACPZ
- ADF7021BCPZ
- ADG431TQ
- ADG441BNZ
- A0522A
- AD5444YRMZ
- ADC12034CIN
- ADC-830C
- ADM2682EBRIZ-RL7
- ADM3075EARZ
- ADM3101EACPZ-REEL
- ADMP405ACEZ
- ADMP421ACEZ
- ADP1714AUJZ-1.1-R7
- ADP1715ARMZ-R7
同类最佳的动态性能和稳健性。
输入侧采用sio2电容隔离技术与输出侧隔离,
支持高达1.5kvrms工作电压,
12.8kvpk浪涌抗扰度,
隔离屏障寿命长于40年,
并提供较低的部件间偏斜和高cmti。
特性
单通道sic / igbt隔离栅极驱动器
aec-q100符合汽车应用要求(资格计划)
sic mosfet和igbt高达1700 v.
33v最大输出驱动电压(vdd-com)
高峰值驱动电流和高cmti
有源米勒钳
uvlo,rdy功率良好
小传播延迟和脉冲/部分偏斜
工作温度范围为-40°c至125°c
安全相关认证(计划):
根据din v vde v 0884-11(vde v 0884-11)
进行8000-vpk viotm
2121-vpk viorm增强隔离:2017-01
每ul1577进行5700-vrms隔离1分钟
( 素材图片出自:texas instruments.权利归原作所有,特别感谢!)