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随着技术的革新与进步，把驱动器和mosfet整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和mos管的优化提高电能效率和优质dc电流，这就是整合驱动ic的drmos。

瑞萨第2代drmos

经过qfn-56无脚封装，让drmos热阻抗很低；借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部pcb布线，从而降低电感和电阻。http://wnly.51dzw.com/

另外，采用的深沟道硅(trench silicon)mosfet工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式aps（auto phase switching）。

除了qfn封装外，双边扁平无引脚封装（dfn）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与qfn相比，dfn少了两边的引出电极。

塑封有引线芯片载体(plcc)

plcc（plastic quad flat package）外形呈正方形，尺寸比dip封装小得多，有32个引脚，四周都有管脚，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。

其引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84不等，j形引脚不易变形，比qfp容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。plcc封装适合用smt表面安装技术在pcb上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。

plcc封装是比较常见，用于逻辑lsi、dld(或程逻辑器件)等电路，主板bios常采用的这种封装形式，不过目前在mos管中较少见。

主流企业的封装与改进

由于cpu的低电压、大电流的发展趋势，对mosfet提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。mosfet厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。

瑞萨（renesas）wpak、lfpak和lfpak-i封装

wpak是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿d-pak封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的wpak也可以达到d-pak的输出电流。wpak-d2封装了高/低2颗mosfet，减小布线电感。

fpak和lfpak-i是瑞萨开发的另外2种与so-8兼容的小形封装。lfpak类似d-pak，但比d-pak体积小。lfpak-i是将散热板向上，通过散热片散热。http://xhwydz01.51dzw.com

威世（vishay）power-pak和polar-pak封装

power-pak是威世公司注册的mosfet封装名称。power-pak包括有power-pak1212-8、power-pak so-8两种规格。

polar pak是双面散热的小形封装，也是威世核心封装技术之一。polar pak与普通的so-8封装相同，其在封装的上、下两面均设计了散热点，封装内部不易蓄热，能够将工作电流的电流密度提高至so-8的2倍。目前威世已向意法半导体公司提供polar pak技术授权。

安森美（onsemi）so-8和wdfn8扁平引脚（flat lead）封装

安美森半导体开发了2种扁平引脚的mosfet，其中so-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。安森美新近推出的nvmx和nvtx功率mosfet就采用了紧凑型dfn5(so-8fl)和wdfn8封装，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低qg和电容，可将驱动器损耗降到最低的特性。

恩智浦（nxp）lfpak和qlpak封装

恩智浦（原philps）对so-8封装技术改进为lfpak和qlpak。其中lfpak被认为是世界上高度可靠的功率so-8封装；而qlpak具有体积小、散热效率更高的特点，与普通so-8相比，qlpak占用pcb板的面积为6*5mm，同时热阻为1.5k/w。

意法（st）半导体powerso-8封装

意法半导体功率mosfet芯片封装技术有so-8、powerso-8、powerflat、directfet、polarpak等，其中powerso-8正是so-8的改进版，此外还有powerso-10、powerso-20、to-220fp、h2pak-2等封装。

飞兆（fairchild）半导体power 56封装

power 56是farichild的专用称呼，正式名称为dfn 5×6。其封装面积跟常用的tsop-8不相上下，而薄型封装又节约元件净空高度，底部thermal-pad设计降低了热阻，因此很多功率器件厂商都部署了dfn 5×6。

国际整流器（ir）direct fet封装

direct fet能在so-8或更小占位面积上，提供高效的上部散热，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的ac-dc及dc-dc功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，directfet的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频dc-dc降压式转换器的电流处理能力增加一倍。

direct fet封装属于反装型，漏极（d）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。direct fet封装极大地改善了散热，并且占用空间更小，散热良好。

四边无引线扁平封装（qfn）

qfn（quad flat non-leaded package）封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比qfp小、高度比qfp低的特点；其中陶瓷qfn也称为lcc（leadless chip carriers），采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料qfn则称为塑料lcc、pclc、p-lcc等。

是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。

qfn主要用于集成电路封装，mosfet不会采用。不过因intel提出整合驱动与mosfet方案，而推出了采用qfn-56封装（“56”指芯片背面有56个连接pin）的drmos。

需要说明的是，qfn封装与超薄小外形封装(tssop)具有相同的外引线配置，而其尺寸却比tssop的小62%。根据qfn建模数据，其热性能比tssop封装提高了55%，电性能(电感和电容)比tssop封装分别提高了60%和30%。最大的缺点则是返修难度高。

传统的分立式dc/dc降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。

随着技术的革新与进步，把驱动器和mosfet整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和mos管的优化提高电能效率和优质dc电流，这就是整合驱动ic的drmos。http://xhwydz02.51dzw.com

经过qfn-56无脚封装，让drmos热阻抗很低；借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部pcb布线，从而降低电感和电阻。

另外，采用的深沟道硅(trench silicon)mosfet工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式aps（auto phase switching）。

除了qfn封装外，双边扁平无引脚封装（dfn）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与qfn相比，dfn少了两边的引出电极。

文章出自：电子器件的世界