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三星新的v-nand效能与64层3d nand相当，主要是因为其工作电压从1.8v降低至1.2v，而且更快的数据读写速度，较上一代提高30%。三星新技术推出的256gb v-nand数据存储速度达到1.4gbps，相较于64层3d nand提高40%。

三星flash产品和技术执行副总裁kye hyun kyung表示，三星第五代v-nand堆叠层数在90层以上，将加快提供先进的第五代v-nand产品解决方案满足快速增长的市场。http://yushuo.51dzw.com/

三星还将推出容量高达1tb和qlc v-nand，将继续推动下一代存储解决方案的发展。三星将迅速扩大第五代v-nand生产，以满足广泛的市场需求，因为先进的技术将推动高存储密度在智能型手机、超级计算机、企业服务器等市场应用。

除了三星，东芝和西部数据早在2017年7月就宣称已经成功开发出96层3d nand和qlc技术，若采用qlc架构单颗die容量可以达到1tb。2018年东芝和西部数据加码投资fab6工厂生产所需的设备，用于量产96层3d nand，计划在下半年开始量产。继东芝和西部数据之后，美光和英特尔宣布量产64层3d nand，由于基于qlc架构，所以单颗die容量可以达到1tb，同时开始给合作伙伴送样96层3d nand。

在原厂技术快速发展下，2018年64层3d nand已是主流技术，容量256gb、512gb，广泛用于ssd产品中，随着技术的进一步发展，且主控厂marvell、慧荣、群联等纷纷针对qlc和96层3d nand技术进行控制芯片的调整，预计2019年96层将成为各家原厂的主流技术，且推动1tb容量快速在市场上应用，迎来大容量需求爆发。http://yushuo.51dzw.com/

三星终于宣布开始大规模生产其第五代v-nand存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的v-nand支持toggle ddr4.0 nand接口，可拥有更高的传输速度。来源; 闪存市场