20年来，富士通量产各种fram非易失性内存产品，具备高速写入运行、极高的读/写耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，fram产品保证10兆次的读/写周期，约为非易失性内存eeprom的1千万倍。因此许多需要频繁覆写数据的工业应用，像实时数据记录与3d位置数据记录等，都采用富士通电子的fram产品。

51电子网公益库存:

CC2592RGVR

CC2530F256RHAR

MSP430FW427IPMR

MSP430F5310IPTR

MSP430F5310IRGCR

ADS1230IPWR

STM32F103RET6

NRF24L01

NRF24LE1

AZ1117CH-1.8TRG1

BAV99W-7-F

1N4148WS-7-F

DMN3404L-7

2N7002-7-F

IP4369CX4-H500

MMBT2222A-7-F

DMG7430LFG-7

AZ431AN-ATRE1

1N5819HW-7-F

US1M-13-F

针对-55℃运行的应用

富士通电子今日推出新款64-kbit fram产品mb85rs64tu，其运行温度最低达到-55℃，进一步延伸现有产品-40℃的低温极限。新款产品的开发目标，是为满足客户对于产业机械搭载的内存必须能在极度寒冷的环境下运行的需求。

sop与son封装的mb85rs64tu

mb85rs64tu的运行电源电压范围为1.8v-3.6v，连接spi接口的最高频率为10mhz，而运行温度范围则为-55℃ ~ +85℃。

fram产品已推出业界标准的sop8封装，使其能轻易取代8针脚sop封装的eeprom。此外，还提供拥有2.00 x 3.00 x 0.75 mm极小尺寸的son8封装。son的表面贴装面积仅为sop封装的30%，而贴装体积更仅为sop的13%。

去年，富士通电子推出能在125°c环境中运作的fram产品，扩展运行温度的高温极限；此次开发出的-55℃产品，则扩展运行温度的低温极限。http://pinhui668.51dzw.com/

富士通电子致力于开发最适合客户应用的内存产品，为此我们将持续提供产品与解决方案，协助客户的各种应用发挥更好的价值与便利性。

产品规格

组件料号：mb85rs64tu

密度 (组态)：64kbit (8k x 8 位)

界面：spi (serial peripheral interface)

运作频率：10mhz（max）

运作电压：1.8v - 3.6v

运作温度范围：-55℃ ~ +85℃

读/写耐用度：10 兆次 (1013次)

封装规格：sop8，son8

词汇与备注

注一：铁电随机存取内存（fram）

fram是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。fram结合了rom和ram的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通半导体自1999年即开始生产fram，亦称为feram。

适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用

富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出新款64-kbit fram---mb85rs64tu（注一）。该款内存能在-55℃中正常运行，为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的fram非易失性内存，现已量产供货。http://pinhui668.51dzw.com/

此款产品支持1.8v至3.6v的极广范围电源电压。其工作温度更是超越竞争对手，最低达到-55℃。由于它能在运行温度范围内保证10兆次的读/写周期，故适合用于在极寒地区挖掘天然气与石油的设备、机械等产业机械。mb85rs64tu适用于例如测量设备、流量计、及机器人等的一般工业应用。