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FinFET立体晶体管技术

发布时间:2018/5/26 18:52:03 访问次数:1354



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      这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔,虽然有技术之争但把曾经的领导者intel远远甩在身后已经是不争的事实。http://pax668.51dzw.com

      在美国举行的三星工艺论坛sff 2018 usa之上,三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限。

      三星将在7lpp工艺上首次应用euv极紫外光刻技术,预计今年下半年投产。关键ip正在研发中,明年上半年完成。

      在7lpp工艺的基础上继续创新改进,可进一步缩小芯片核心面积,带来超低功耗。

      最后一次应用高度成熟和行业验证的finfet立体晶体管技术,结合此前5lpe工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

      gate-all-around就是环绕栅极,相比于现在的finfet tri-gate三栅极设计,将重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。http://pax668.51dzw.com

      三星的gaa技术叫做mbcfet(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。

      大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高性能领域,三星也准备了杀手锏,大规模数据中心、ai人工智能、ml机器学习,7lpp和后续工艺都能提供服务,并有一整套平台解决方案。

      比如高速的100gbps+ serdes(串行转换解串器),三星就设计了2.5d/3d异构封装技术。

      而针对5g、车联网领域的低功耗微控制器(mcu)、下代联网设备,三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案,从28/18nm emra/rf到10/8nm finfet任选择。http://pax668.51dzw.com

来源:快科技



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      在7lpp工艺的基础上继续创新改进,可进一步缩小芯片核心面积,带来超低功耗。

      最后一次应用高度成熟和行业验证的finfet立体晶体管技术,结合此前5lpe工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

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      大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高性能领域,三星也准备了杀手锏,大规模数据中心、ai人工智能、ml机器学习,7lpp和后续工艺都能提供服务,并有一整套平台解决方案。

      比如高速的100gbps+ serdes(串行转换解串器),三星就设计了2.5d/3d异构封装技术。

      而针对5g、车联网领域的低功耗微控制器(mcu)、下代联网设备,三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案,从28/18nm emra/rf到10/8nm finfet任选择。http://pax668.51dzw.com

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