高压超结MOSFET技术
发布时间:2018/4/22 22:48:24 访问次数:1378
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凭借600 v coolmos™ cfd7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结mosfet技术。该600 v coolmos™ cfd7是coolmos 7系列的新成员。这款全新mosfet满足了高功率smps市场对谐振拓扑的需求。它的llc和zvs psfb等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和电动汽车充电站等高功率smps应用。
该600 v coolmos cfd7的前身是coolmos cfd2。新mosfet的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 v coolmos cfd7拥有更低的栅极电荷（qg）和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷（qrr）比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 v coolmos cfd7可为thd和smd器件提供业内领先的解决方案，从而能够支持高功率密度解决方案。
该600 v coolmos cfd7目前已实现量产，样品可供订购。http://psxdz666.51dzw.com
来源：中电网
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凭借600 v coolmos™ cfd7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结mosfet技术。该600 v coolmos™ cfd7是coolmos 7系列的新成员。这款全新mosfet满足了高功率smps市场对谐振拓扑的需求。它的llc和zvs psfb等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和电动汽车充电站等高功率smps应用。
该600 v coolmos cfd7的前身是coolmos cfd2。新mosfet的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 v coolmos cfd7拥有更低的栅极电荷（qg）和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷（qrr）比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 v coolmos cfd7可为thd和smd器件提供业内领先的解决方案，从而能够支持高功率密度解决方案。
该600 v coolmos cfd7目前已实现量产，样品可供订购。http://psxdz666.51dzw.com
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