无源滤波器组件
发布时间:2018/3/16 22:57:07 访问次数:575
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- 2SK209-GR
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- 74ACT16245SSC
- 88E1111-B2-BAB1I000
- ADC10D1000CIUT/NOPB
- BCR22PNE-6327
- C8051F023
- DAC8554IPW
- EP1C12Q240I7
- FSBB20CH60F
- HA7-5102-2
- ICS85310AYI-21T
lsic1mo120e0120和lsic1mo120e0160碳化硅mosfet具有超低导通电阻(rds(on)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅mosfet可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅mosfet。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅igbt等传统功率晶体管方案所无法企及的。
“这些新型碳化硅mosfet为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”littelfuse电源半导体产品营销经理michael ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”
新型1200v碳化硅mosfet具有以下关键优势:http://yacx2.51dzw.com
从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。
极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。
lsic1mo120e0120和lsic1mo120e0160碳化硅mosfet采用to-247-3l封装,提供450只装管式包装。 您可通过全球各地的littelfuse授权经销商索取样品。
来源:电子产品世界
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极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。
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来源:电子产品世界
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