10纳米FinFET制程
发布时间:2018/2/23 12:09:58 访问次数:399
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三星晶圆代工业务与营销团队执行副总裁charlie bae表示,该公司很高兴能与高通继续扩大于5g技术上的合作关系,这次的合作对三星晶圆代工业务而言是重要的里程碑,因为这代表高通对三星晶圆制程技术的信心。
据悉,三星于2017年在7纳米制程中,首度导入极紫外光微影技术,希望可借此突破摩尔定律。和10纳米finfet制程相比,7纳米lpp euv的制程工序较少,可提升40%面积使用效率、良率较高,且性能增加10%,功耗则降低了35%。
高通希望透过7lpp euv制程技术,能有效减少snapdragon 5g行动晶片的尺寸,减少占位空间,使原始设备制造商(oem)能有更多空间增加电池容量或是进行薄型化设计;高通指出,透过先进的制程技术与晶片设计,预期电池寿命将会显著提升。http://yushuolyf.51dzw.com
高通旗下子公司,高通技术公司(qualcomm technologies, inc.)供应链管理与采购部门高级副总裁rk chunduru表示,与三星合作,透过7nm lpp euv技术,在制程流程改变与先进晶片设计相结合的情况下,该公司新一代snapdragon 5g行动晶片组将获得更多优势,进而提升未来5g设备的用户使用体验。
来源:中国证券报
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三星晶圆代工业务与营销团队执行副总裁charlie bae表示,该公司很高兴能与高通继续扩大于5g技术上的合作关系,这次的合作对三星晶圆代工业务而言是重要的里程碑,因为这代表高通对三星晶圆制程技术的信心。
据悉,三星于2017年在7纳米制程中,首度导入极紫外光微影技术,希望可借此突破摩尔定律。和10纳米finfet制程相比,7纳米lpp euv的制程工序较少,可提升40%面积使用效率、良率较高,且性能增加10%,功耗则降低了35%。
高通希望透过7lpp euv制程技术,能有效减少snapdragon 5g行动晶片的尺寸,减少占位空间,使原始设备制造商(oem)能有更多空间增加电池容量或是进行薄型化设计;高通指出,透过先进的制程技术与晶片设计,预期电池寿命将会显著提升。http://yushuolyf.51dzw.com
高通旗下子公司,高通技术公司(qualcomm technologies, inc.)供应链管理与采购部门高级副总裁rk chunduru表示,与三星合作,透过7nm lpp euv技术,在制程流程改变与先进晶片设计相结合的情况下,该公司新一代snapdragon 5g行动晶片组将获得更多优势,进而提升未来5g设备的用户使用体验。
来源:中国证券报
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