51电子网公益库存:

CS810Z

32.768KHZ(TR001013-211)

251M1002336MR3S

9435

80HCPS1616CHRI

72V51256L6BB

613SS4

51W16405BLTS6

A024HA0.75A-B-W

BQ2000TSN-B5

CSD17308Q3

D02G65M5

EM430F5137RF900

FT4266

GS2972-IBE3

      今年与存储芯片相关的终端产品，包括u盘、tf卡、sd卡、ssd固态硬盘等，由于供货紧张，其价格都增长了3~5倍，经常接触电子产品的小伙伴们一定深有体会。而由于ssd固态硬盘的大容量、高性能、低功耗等优势，更是逐渐取代机械硬盘，成为当下消费级和企业级产品的主流配置。 http://weiyoudu01.51dzw.com

      据idc预测，到2018年固态硬盘ssd市场将达到200亿美金，2021年将达到300亿美金，出货量也将从2018年的2亿片提升为2021年的3亿片。未来固态硬盘的销售年复合增长率达到13.1%，出货年复合增长率达到40.7%，其中nmve产品年复合增长率将达到50%。

      与此同时，我国每年芯片进口总额达到2200亿~2300亿美元，去年进口总额为2270亿美元，其中，存储芯片占总进口额四分之一。因而我国对存储芯片的需求量同样很大。面对如此大的量，目前，我们所需要的存储芯片中存储颗粒却没有一颗能够自主供应。

      而随着近年来存储市场的不断扩大，国内存储企业也不断加强研发投入，想要尽早能够与国际存储巨头竞争并分得一羹。而要想在存储市场中争得一席之位，就要有拿得出手的技术和产品，要在核心技术和主控芯片上获得突破。2017年11月15日，忆芯科技发布了一款针对高端消费级与入门企业级国产ssd控制器，忆芯科技创始人/首席执行官沈飞在大会上介绍了其核心技术、产品及未来发展规划。 http://weiyoudu01.51dzw.com

      忆芯科技的光速进程

      作为年轻一代的存储企业，忆芯科技一直都是在以光速前进。忆芯科技成立于2015年11月，2016年1月完成fpga平台验证，掌握第一代starnvme®、starflash®、starlcpc®核心主控技术；2016年4月，采用tsmc 28nm hpc工艺及高速接口技术和arc存储技术的mb1000原型芯片成功流片，目标市场为高端消费级和入门企业级市场；2016年7月拿到北京集成电路制造与装备股权投资中心与贵阳工投生物医药产业创业投资有限公司领投的a轮约2000万美元的融资；2016年12月，引入硬件仿真器，利用硬件加速平台完成流片前系统验证，利用自主开发的软件仿真平台完成了流片前的固件开发；2017年1月成功流片全掩膜芯片star1000；2017年3月，采用第二代starnvme®、starflash®、starlcpc®技术的star1000主控芯片实现量产。

      star1000 nvme ssd控制器

      star1000采用tsmc 28nm hpc工艺制造，实现了高性能和低功耗的平衡。采用双核arc和多核架构，支持onfi 4.0与toggle ddr 3.0；闪存接口速度为800mt/s，可支持最大2400mt/s的ddr4/lpddr3外置缓存；全面支持2d/3d/nlc/tlc颗粒，灵活拓展支持qlc等颗粒；顺序读取速度最高可达到3gb/s，顺序写入速度最高可达到2gb/s；最大随机读写iops分别为350k和300k；由于采用超低功耗设计，工作功耗低于5w，待机功耗低于2.5w。

      star1000作为一款国产高端消费级与入门企业级ssd控制器，通过一颗主控芯片和两套产品供应来实现的，其具有高度灵活性、高性能和低功耗。支持pci-e 3.0x4通道/nvme 1.2协议，并通过starldpc ecc引擎，支持3d tlc在内的主流商用nand闪存，实现了从主机到颗粒之间的高速传输。通过xts-aes256引擎实现了实时数据加密，支持tcg opal，利用硬件trng、sha256与rsa等的安全引导。 http://weiyoudu01.51dzw.com

      读写性能对比

      选择三家国际主流公司进行对比，其中a为美国公司产品，采用台湾公司主控芯片；b为台湾公司产品，采用美国公司主控芯片；c为台湾公司产品，采用台湾公司主控芯片。a、b、c三家128k数据顺序读写能力分别1.5gb/s和0.56gb/s、2.5gb/s和1.4gb/s、2.6gb/s和1.3gb/s，而采用忆芯star1000主控芯片的产品可以达到2.72gb/s和1.91gb/s（下图上部分）；a、b、c三家产品4k视频数据读写能力分别为155k和128k、280k和240k、265k和150k，而采用忆芯star1000主控芯片的产品可以达到410k和320k（下图下部分）。

      liteont10 plus

      liteon t10 plus是首款搭载忆芯star1000主控芯片。搭载东芝最新3d闪存颗粒，顺序读写速度分别为2700mb/s和1700mb/s，4k随机读iops 320k以及4k随机写iops 275k。

      忆芯未来发展规划

      针对未来技术发展，沈飞先生表示，在存储领域将继续推进忆芯的starflash和starldpc技术，同时将支持kv storage，以实现结构化数据的存储；在计算领域将支持更强大的多核cpu，并通过深度学习、搜索引擎和片上系统支持实现本地的ai计算；在网络方面，将支持nvme over fabric实现远程数据的直接存取；在安全算法方面，将支持国密sm算法、tcg-opal等。 http://weiyoudu01.51dzw.com

      沈飞先生用一张星辰大海的蓝图来解读未来忆芯的市场发展，未来忆芯将继续向监控存储、智慧存储、数据中心纵向拓展，以实现忆芯的“中国芯·世界梦”。

来源：电子产品世界