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      新能源汽车是当下的热门话题，随着国内“双积分”政策出台，新能源车迎来新一轮发展高潮。功率半导体占到新能源汽车中半导体用量的50%，而igbt（绝缘栅双极晶体管）作为核心功率器件，成为这波红利下的受益者。

      在开发之初，igbt主要应用在电机、变换器（逆变器）、变频器、ups、eps电源、风力发电设备等工业控制领域。igbt是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“cpu”。采用igbt进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

      长期以来，igbt技术主要被欧美、日本等国垄断。 在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持及市场的推动下，我国igbt产业投入加大，取得巨大成绩，不过我国igbt芯片90%以上的市场仍被国外企业所占据，垄断格局依然存在。下面我们就来说说igbt的故事。 http://yushuo02.51dzw.com

      igbt发展史

      电力电子器件起着“信息电子电路”与“电力电子电路”之间的桥梁作用，实现电能的变换与控制。

      尽管igbt已被使用多年，但仍可称作新型的电力电子器件，由功率二极管、晶闸管、bjt、mosfet发展而来，实现了从工业控制到信息电子的应用延伸。

      1950~60年代，发明双极型器件scr，gtr和gto通态电阻很小，采用电流控制但控制电路复杂且功耗大；

      1970年代，推出单极型器件vd-mosfet，通态电阻很大，采用电压控制，控制电路简单且功耗小；

      1980年代，mosfet与bjt被结合起来进行研究，igbt被发明，它集mosfet驱动简单及bji电流能力强于一身。