KLA-Tencor：尖端集成电路器件技术
发布时间:2017/3/15 9:57:34 访问次数:1079
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archer 600采用全新光学系统和新型测量图形，延伸基于图像的叠对误差量n,技术，帮助先进的逻辑电路和qg存芯片制造商实现小于将3nm(sub-3nm)的叠对误差。 创新的proaim™图形技术可以容忍更大的工艺变化，提升量测图形反应的叠对误差与器件本身叠对误差的相关性，实现更精确的叠对误差量测。 archer 600的新型光学技术，包括亮度更高的光源和偏振模块，能够在不同的工艺层上(从薄光阻层到不透明阻挡层)提供更精确的叠对误差反馈和控制。 随着产能的提高，archer 600可以增加叠对误差的采样，提升校准曝光机以及识别产线工艺异常的能力。 archer 600系统已经由全球多个代工厂，逻辑电路和内存厂商安装运行，用于测量最先进的半导体器件。http://yushulhy.51dzw.com
wafersight pwg2 提供有关晶片应力和形状均匀性的全面数据，在膜沉积、退火、蚀刻及其他工艺制程中被用于检测和匹配工艺参数。随着产能的显著提升， wafersight pwg2可以在生产中增加晶片取样，协助芯片制造商识别和修复由工艺引起的晶片应力变化，并消除随之而来的图案成像和良率问题。 wafersight pwg2提供的晶片形状数据还可以被前馈到曝光机，并用消除晶片应力所引起的叠对误差，这对于3d nand快闪内存器件的制造尤为重要，因为厚膜堆叠技术可能造成晶片的变形。凭借业界独特的垂直晶片支架，wafersight pwg2可以同时测量晶片的前后表面，提供晶片平坦度和形貌数据，用以改进曝光机对焦的预测和控制。多家技术先进的ic制造商安装了wafersight pwg2系统，用于光刻控制的开发，以及在批量生产中优化和检测各种半导体生产工艺。
spectrashape 10k光学量测系统在蚀刻，化学机械抛光(cmp)和其他工艺步骤之后测量复杂ic器件结构的cd和三维形状。为了全面表征器件结构，spectrashape 10k采用了多项光学技术，包括椭圆测厚仪的全新偏振能力和多角入射，以及用于反射计的truni™照明新型高亮度光源。这些技术保证该系统可以精确地测量许多与finfet和3d nand器件相关的关键参数，例如cd、高度、sige形状和通道孔弓形轮廓。 spectrashape 10k具有比上一代产品更高的产能，这帮助客户可以通过增加采样实现更为严格的工艺控制，同时也可以满足多重曝光技术所需的数目繁多的工艺检测。 spectrashape 10k深受晶片代工厂青睐，广泛用于finfet和多重曝光技术集成，此外，它们也在许多领先的存储器厂商中被用于支持先进的3d nand制造。
通过即时测量，sensarray hightemp 4mm无线晶片为先进的薄膜工艺提供时间和空间温度信息。与之前的产品相比，sensarray hightemp 4mm具有更薄的晶片厚度，因此与更多类型的工艺设备相兼容，其中包括track，strip和物理气相沉积(pvd)。在20 - 400°c的温度范围内，sensarray hightemp 4mm可以量测温度变化对工艺窗口和成型表现的影响，从而实现工艺优化和设备验证。sensarray hightemp 4mm晶片已被多个微处理器，dram和3d nand的生产商用于薄膜工艺的调整和常规监控。
archer 600、wafersight pwg2、spectrashape 10k和sensarray hightemp 4mm与kla-tencor的5d analyzer®高级数据分析系统相结合，支持实时工艺控制，并为工程监控分析提供有力工具。为了保持ic制造所需的高性能和高产能，kla-tencor的全球综合服务网络为archer 600，wafersight pwg2，spectrashape 10k和sensarray hightemp 4mm系统提供后援支持。 kla-tencor公司今天针对10纳米以下(sub-10nm)集成电路(ic)器件的开发和批量生产推出四款创新的量测系统：archer™600叠对量测系统，wafersight™ pwg2图案晶片几何特征测量系统，spectrashape™ 10k光学关键尺寸(cd)量测系统和sensarray® hightemp 4mm即fb温度测量系统。 这四款新系统进一步拓宽了kla-tencor的独家5d图案成像控制解决方案™应用，提升了包括自对准四重曝光(saqp)和极紫外线(euv)光刻在内的先进图案成像技术。http://jsx.51dzw.com
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archer 600采用全新光学系统和新型测量图形，延伸基于图像的叠对误差量n,技术，帮助先进的逻辑电路和qg存芯片制造商实现小于将3nm(sub-3nm)的叠对误差。 创新的proaim™图形技术可以容忍更大的工艺变化，提升量测图形反应的叠对误差与器件本身叠对误差的相关性，实现更精确的叠对误差量测。 archer 600的新型光学技术，包括亮度更高的光源和偏振模块，能够在不同的工艺层上(从薄光阻层到不透明阻挡层)提供更精确的叠对误差反馈和控制。 随着产能的提高，archer 600可以增加叠对误差的采样，提升校准曝光机以及识别产线工艺异常的能力。 archer 600系统已经由全球多个代工厂，逻辑电路和内存厂商安装运行，用于测量最先进的半导体器件。http://yushulhy.51dzw.com
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通过即时测量，sensarray hightemp 4mm无线晶片为先进的薄膜工艺提供时间和空间温度信息。与之前的产品相比，sensarray hightemp 4mm具有更薄的晶片厚度，因此与更多类型的工艺设备相兼容，其中包括track，strip和物理气相沉积(pvd)。在20 - 400°c的温度范围内，sensarray hightemp 4mm可以量测温度变化对工艺窗口和成型表现的影响，从而实现工艺优化和设备验证。sensarray hightemp 4mm晶片已被多个微处理器，dram和3d nand的生产商用于薄膜工艺的调整和常规监控。
archer 600、wafersight pwg2、spectrashape 10k和sensarray hightemp 4mm与kla-tencor的5d analyzer®高级数据分析系统相结合，支持实时工艺控制，并为工程监控分析提供有力工具。为了保持ic制造所需的高性能和高产能，kla-tencor的全球综合服务网络为archer 600，wafersight pwg2，spectrashape 10k和sensarray hightemp 4mm系统提供后援支持。 kla-tencor公司今天针对10纳米以下(sub-10nm)集成电路(ic)器件的开发和批量生产推出四款创新的量测系统：archer™600叠对量测系统，wafersight™ pwg2图案晶片几何特征测量系统，spectrashape™ 10k光学关键尺寸(cd)量测系统和sensarray® hightemp 4mm即fb温度测量系统。 这四款新系统进一步拓宽了kla-tencor的独家5d图案成像控制解决方案™应用，提升了包括自对准四重曝光(saqp)和极紫外线(euv)光刻在内的先进图案成像技术。http://jsx.51dzw.com
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