sdh866xq系列芯片合封了具有专利技术的功率edmos，并采用了具有专利技术的高压启动控制芯片，因此省略了传统芯片的启动电阻，

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AP1084DG-13

AP1093

AP1506-K5G-13

AP1722A-18GC

APA2010QBI-TRG

APL1117-18VC-TRG

APL5601-12AI-TRG

APL5601-28AI-TRG

APL5601-28AI-TRL

APL5601-33DI-TRG

APL5601-33DI-TRL

APL5912KAC-TRL

APM2054NDC-TRG

APM4463KC-TRG

APU3048M

APW7073KE-TRL

AR2316A-001

AR7240-AH1A

AR9285-AL1A

AR9580-AR1A

使得芯片待机功耗低至40mw，具有快速启动，轻载高效等优点。由于芯片在启动过程中采用高压耗尽型mosfet进行高压充电，启动后高压启动控制器控制该mosfet关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

此外，该系列芯片还使用了士兰微电子自有的谷底锁定专利技术，当出现谷底跳变时，会根据负载选定在特定的谷底开通mosfet，并通过逻辑控制使它保持锁定在这个谷底导通mosfet，解决了传统qr模式中谷底跳变引起的异音问题。芯片还内置了准谐振（qr）模式，即系统工作于dcm时原边高压mosfet在振荡波形谷底开通，可以降低mosfet开通损耗和芯片温升，提高dcm的平均效率（0.5%左右），一致性和可靠性。http://yushuollp.51dzw.com

sdh866xq系列芯片还使用多项技术，如：

Ø 抖频控制技术：在系统工作于ccm或qr模式时采用不同的抖频策略，优化抖频控制，有效的降低了系统emi噪声。以12v/1.25a整机为例，qr模式下，采用优化抖频后的sdh8664q比无抖频ic的传导噪声低5db左右。

Ø 低压升频技术：减小了变压器体积，并改善了高低压ocp一致性

Ø vcc hold功能：可以防止轻载或动态切换时芯片欠压重启

Ø 完善的保护功能：包括vcc ovp, ocp, otp, brown-out, 输入ovp，输出ovp，原边电流采样电阻短路保护，输出短路保护，副边整流管短路保护等

另外，sdh866xq采用了外置原边电流采样电阻，以改善峰值输出功率的离散性，同时也便于调节系统的输出功率，可用同一颗ic实现系列机型设计。

该系列芯片sdh8663/4/5/6q, 采用dip8/to252-5l封装，可以满足12w-36w功率范围。

杭州士兰微电子公司近期推出了内置mosfet的ssr反激电源管理系列芯片sdh866xq。该系列芯片满足六级能效标准，待机功耗低于40mw，并且采用了自有的高压edmos专利技术和谷底锁定专利，分别实现高压启动和降低emi，可广泛适用于各类通用适配器（如机顶盒、显示器、平板电视等）。

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