在本文上篇中，我们了解到nand和nor两种flash在手机上面应用方式的差异，nor是专门作为储存手机开机程序代码所用的内存装置，而nand则是专门作为储存大量数据的媒介。以目前全球手机的发展现况来看，nor的产值仍高于nand，主要原因在于nor的平均单价较nand高，且多数手机皆需使用nor flash。但若仔细观察手机的未来发展趋势，就可以清楚知道nand flash的成长性将会远远超过nor flash，原因在于从2.5g世代开始，多数手机都开始提供mp3、照相和摄录像的功能，进入3g世代手机更可以提供行动视讯的服务，这些多媒体的影音娱乐都需要能提供储存大量数据的装置，这点正是引爆nand未来市场需求大于nor的关键因素。

行动电话成为小型记忆卡的最大需求市场

　　数字相机原本是小型记忆卡的最大消费市场，但自从手机上面出现照相和摄录像功能之后，手机顿时成为各小型记忆卡厂商的兵家必争之地。以今年手机出货量来说，目前各市调研究单位预估数字约在8.5至9亿支，其中照相功能用的手机所占的比例可望超过50%以上，也就是约在4.5亿支左右；然而今年全球数字相机的出货量预估只有8000万台，显见照相手机用户将是小型记忆卡的最大市场。

　　目前小型记忆卡市场各种规格林立，主要阵营则以sd（secure digital）、mmc（multi-media card）与ms（memory stick）三者为主。以现阶段的发展来看，sd极有可能在这场激烈混乱的记忆卡规格制订的竞争中脱颖而出，主要原因在于全球手机大厂nokia、motorola、samsung、lg和siemens都已陆续加入sd阵营，且已经开始推出可以使用sd记忆卡的手机机种。sd记忆卡规格是由全球小型记忆卡市占率排名第一的sandisk和日本松下电子（matsushita）与东芝（toshiba）共同制订的，后来交由sda（sd card association）负责后续新规格的制订与推广。目前，sd已经针对手机日益轻薄短小的趋势而设计出更小型的记忆卡规格minisd（20×21.5×1.4mm）与microsd（15×11×1mm）。同样地，mmc阵营也推出mmcmini（18×24×1.4mm）与mmcmicro（14×12×1.1mm）这两种规格来应战，ms则是推出ms duo（20×31×1.6mm）与ms micro（15×12.5×1.2mm）两种规格以满足市场需要。







nand芯片业者意欲抢夺nor芯片业者在手机市场的地盘

　　目前手机存取数据的方法都是使用xip（execute-in-place）架构，它是由nor flash与dram组合而成。在这个架构之下， nor flash是专职负责程序代码的执行，而dram则是作为暂存一些信息和部分程序之用。xip的优点在于它的执行架构不复杂，但它的缺点则是nor flash写入数据的速度过慢，加上每位的成本相对于nand flash来说是昂贵的。因此，当手机为因应多媒体功能的需要必须增加内存容量时，xip架构显然处于不利的地位。

　　为解决nor flash储存成本过高与写入速度过慢的问题，一些专门设计高阶手机的业者提出另一种手机存取资料架构shadow model。这个架构的运作方式是使用nand flash作为储存程序代码之用，而操作系统则在开机时被复制存放到dram上面，它的优点是可以降低手机整体制造成本，缺点则是开机时间会变长并且因为dram不停地在运作会使手机耗电量比较高。
有些芯片业者为了解决上述两种内存架构的缺点，提出将sram、nand flash和控制逻辑芯片等三种组件混合成一个新架构，以便能提供nor flash的读取速度又能兼具nand flash的储存能力，其中samsung和 m-systems两家公司已经推出这种类型的产品。samsung的onenand采用90奈米制程，其读取速度可达108mbyte/s，与一般的nor flash速度一致。而在写入速度方面可达9.3mbytes，是nor flash的66倍。m-systems的diskonchip则是在写入速度上面比一般的nor flash快，但读取速度还是不如nor flash。

　　一般预估，未来数年nand fla