IR :第八代 1200V IGBT技术平台
发布时间:2012/11/19 13:37:08 访问次数:1400
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ir的gen8 igbt平台旨在为工业应用提供卓越技术。该igbt平台凭借高性能vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。
产品规格
ir 器件编号 |
vces |
ic (nom) |
vce(on) (典型) |
封装 |
irg8ch15k10f |
1200v |
10a |
1.7 |
膜上裸片 |
irg8ch20k10f |
15a | |||
irg8ch29k10f |
25a | |||
irg8ch38k10f |
35a | |||
irg8ch42k10f |
40a | |||
irg8ch50k10f |
50a | |||
irg8ch76k10f |
75a | |||
irg8ch97k10f |
100a | |||
irg8ch137k10f |
150a | |||
irg8ch182k10f |
200a |
产品供应
ir gen8 1200v igbt平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (oem) 及原始设计制造商 (odm) 合作伙伴。
国际整流器公司 (international rectifier,简称ir) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (igbt) 技术平台。全新第八代 (gen8) 1200v igbt技术平台采用ir的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的gen8设计可让高性能vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。ir亚太区:“通过开发全新基准技术及顶尖的igbt硅平台,彰显出ir在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”
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ir的gen8 igbt平台旨在为工业应用提供卓越技术。该igbt平台凭借高性能vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。
产品规格
ir 器件编号 |
vces |
ic (nom) |
vce(on) (典型) |
封装 |
irg8ch15k10f |
1200v |
10a |
1.7 |
膜上裸片 |
irg8ch20k10f |
15a | |||
irg8ch29k10f |
25a | |||
irg8ch38k10f |
35a | |||
irg8ch42k10f |
40a | |||
irg8ch50k10f |
50a | |||
irg8ch76k10f |
75a | |||
irg8ch97k10f |
100a | |||
irg8ch137k10f |
150a | |||
irg8ch182k10f |
200a |
产品供应
ir gen8 1200v igbt平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (oem) 及原始设计制造商 (odm) 合作伙伴。
国际整流器公司 (international rectifier,简称ir) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (igbt) 技术平台。全新第八代 (gen8) 1200v igbt技术平台采用ir的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的gen8设计可让高性能vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。ir亚太区:“通过开发全新基准技术及顶尖的igbt硅平台,彰显出ir在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”
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