安森美半导体最简单NUS3116电源解决方案获EN-Genius Network “年度产品”奖
发布时间:2008/5/25 0:00:00 访问次数:333
nus3116是主开关功率mosfet和双充电双极结型晶体管(bjt),将主电池开关、墙式充电开关和usb充电开关元件集成到单个元件中,优化充电性能,并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间。
en-genius network出版人兼总编辑paul mcgoldrick说:“我们从en-genius在2007年评审的数百款产品中甄选出安森美半导体的nus3116,因为这器件为便携充电应用提供了简单及高性价比的解决方案。”
关于nus3116
nus3116集成了主电源开关-12 伏(v)、-6.2安培(a) μcool™单p沟道mosfet ,处理主电池开关功能,还集成了两个内置低饱和pnp晶体管,处理两个通道充电元件。主开关mosfet具有40毫欧(mω)的最大导通阻抗rds(on),将便携电子产品电池工作期间的功率损耗降到最低。两个低vce(sat)晶体管为高达2 a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce压降低于240毫伏(mv)。
nus3116采用dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)的电路板空间,与通常使用三颗tsop-6封装、需要互连空间的业界解决方案相比,节省了超过20 mm2的板空间。dfn-8封装的高度仅为0.8 mm,使该器件适用于极小外形的便携电子产品设计。采用 nus3116 集成器件更可降低电路板布线的复杂性。nus3116每3,000片的批量单价为0.80美元。
nus3116是主开关功率mosfet和双充电双极结型晶体管(bjt),将主电池开关、墙式充电开关和usb充电开关元件集成到单个元件中,优化充电性能,并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间。
en-genius network出版人兼总编辑paul mcgoldrick说:“我们从en-genius在2007年评审的数百款产品中甄选出安森美半导体的nus3116,因为这器件为便携充电应用提供了简单及高性价比的解决方案。”
关于nus3116
nus3116集成了主电源开关-12 伏(v)、-6.2安培(a) μcool™单p沟道mosfet ,处理主电池开关功能,还集成了两个内置低饱和pnp晶体管,处理两个通道充电元件。主开关mosfet具有40毫欧(mω)的最大导通阻抗rds(on),将便携电子产品电池工作期间的功率损耗降到最低。两个低vce(sat)晶体管为高达2 a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce压降低于240毫伏(mv)。
nus3116采用dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)的电路板空间,与通常使用三颗tsop-6封装、需要互连空间的业界解决方案相比,节省了超过20 mm2的板空间。dfn-8封装的高度仅为0.8 mm,使该器件适用于极小外形的便携电子产品设计。采用 nus3116 集成器件更可降低电路板布线的复杂性。nus3116每3,000片的批量单价为0.80美元。
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