PWB1010-1LD

PWB1010-1LD 属性

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PWB1010-1LD 描述

2.3.2动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。


开通过程；开通延迟时间td（on）—up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；

上升时间tr—uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；

iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。

开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。

关断延迟时间td（off）—up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。

下降时间tf—uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS

关断时间toff—关断延迟时间和下降时间之和。

2.3.3 MOSFET的开关速度。

MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。
OV7950-C48N
OV7950-F48V
OV7955-E53V-PD
OV7959-C48A (CLCC)
OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
OV9665
OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
OV9715-F48Y
OV9726-A40A
OV9740-A46A
OV9810-A70A
OV14825-A16A
OV4680
OVP2200

场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大

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