DMT2-567-1.5L
- 发布时间：2014/9/10 15:54:18
- 所属类别：变压器 » 脉冲变压器
- 公 司：深圳恒信鸿达电子有限公司
- 联 系 人：朱炎斌
DMT2-567-1.5L 属性
- 70
- 通信设备，工业控制系统，医疗军工等行业
- DMT2-567-1.5L
- 75
- coilcraft
DMT2-567-1.5L 描述
东京--(美国商业资讯)--东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖[1]低导通电阻和高速交换性能。即日开始批量生产。
主要功能
1.
使用第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖[1]低导通电阻
2.
实现了低内部栅极电阻和低栅极容量比（Cgd/Cgs），这有助于防止自动开机现象。
主要规格
封装
零件编号
VDSS (V)
RDS(ON) (mΩ)
Crss
(Typ.)
(pF)
Ciss
(Typ.)
(pF)
Coss
(Typ.)
(pF)
Qg
(VGS=10V)
(Typ.)
(nC)
rg
(Typ.)
(Ω)
VGS=10V
VGS=4.5V
Typ.
Max
Typ.
Max
TSON Advance
TPN11006NL
60
9.6
11.4
12.8
17
23
1500
350
23
0.6
SOP Advance
TPH11006NL
60
9.6
11.4
12.8
17
23
1500
350
23
0.6
OV7710-C00A
OV7720 CLCC
OV7720-V28A
OV7725-V28A
OV7740-A32A
OV7910
OV7940
OV7949-C48P
OV7950-C48N
OV7950-F48V
OV7955-E53V-PD
立即下载TPN11006NL数据手册：TPN11006NL_datasheet_en_20130513.pdf
立即下载TPH11006NL数据手册：TPH11006NL_datasheet_en_20130531.pdf
访问以下链接来了解该产品的更多信息。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323990_37649.html
DMT2-567-1.5L 相关产品
- DMT2-273-2.4L
- 追求稳定 供应商正在考虑提前推出为本财年稍晚准备的激励措施，以弥补需求缺口，比如战略性领域的价格激励、内部测试与组装计划以及工厂负载计划。IHS公司
- DMT2-149-3.8L
- 东京--（美国商业资讯）--东芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系
- DMT2-79-6L
- 主要特点： S12Z core, 50 MHz bus 32 to 128 KB flash with ECC Up to
- DMT2-47-8.2L
- 中国，2013年8月13日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：S
- DMT2-20-12L
- 2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 推出两款新的MOSFET器件，用于智
- DMT2-49-8L
- 飞兆半导体公司（纽约证券交易所代号： FCS）是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MO
- DMT2-80-6.3L
- FDD1600N10ALZD: RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A RDS(ON)
- DMT2-134-4.8L
- 2013年6月4日 – Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFE
联系方式
- 联系人：朱炎斌
- 地 址：深圳市南山区科苑路清华信息港综合楼923
- 邮 编：518000
- 电 话：086-0755-83275717
- 传 真：--
- 邮 箱：anson-lee2001@163.com
- Q Q：
- Q Q：
公网安备44030402000607
