M29W128GL70N6E
M29W128GL70N6E属性
- 特价
- 存储芯片
- TSOP56
- MICRON/镁光
M29W128GL70N6E描述
M29W128GL70N6E
特性
•电源电压
- VCC = 2.7-3.6V(程序,擦除,读取)
- VCCQ = 1.65-3.6V (I/O缓冲)
- VPPH = 12V快速程序(可选)
•异步随机/页面读取
-页面大小:8字或16字节
-页面访问:25,30ns
—随机接入:60ns1
70、80秒
•快速程序命令:32字(64字节)写入
缓冲
•增强缓冲程序命令:256字
•节目时间
- 16µs每字节/字TYP
-芯片编程时间:带VPPH时为5秒,无VPPH时为8秒
VPPH
•内存组织
-统一块:128个主块,128kb或
64 - kword每个
•程序/擦除控制器
-嵌入式字节/字程序算法
•程序/擦除暂停和恢复能力
-在PROGRAM SUSPEND操作期间从任何块中读取
-在ERASE期间读取或编程另一个块
暂停操作
•解锁旁路,块擦除,芯片擦除,写入但提供,增强的缓冲程序命令
-快速缓冲/批处理编程
-快速块/芯片擦除以上翻译结果来自有道神经网络翻译(YNMT)· 通用场景
逐句对照
•VPP/WP#引脚保护
-保护第一个或最后一个方块,无论方块
保护设置
•软件保护
-易挥发保护
-非易失性保护
-密码保护
•扩展内存块
- 128字(256字节)内存块永久信息,安全识别
•通用flash接口
- 64位安全码
•低功耗:待机和自动
模式
•最少10万个PROGRAM/ERASE周期
块
•符合RoHS标准的包装
- 56针TSOP (N) 14mm × 20mm
—64球TBGA (ZA) 10mm × 13mm
—64球FBGA (ZS) 11mm × 13mm
•电子签名
—制造商代码:0020h
- M29W128GH制服,最后一块由
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2201h
- M29W128GL制服,第一块由
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2200h
•汽车设备等级温度
- - 40°C至+125°C(汽车级认证)以上翻译结果来自有道神经网络翻译(YNMT)· 通用场景
逐句对照
M29W128GL70N6E相关产品
联系方式
同类产品
- TC58NVG1S3EBAI4
- MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
- MT28EW128ABA1LJS-0SIT
- MT28EW128ABA1HPC-0SIT
- MT25QL02GCBB8E12-0SIT
- MTFC16GAPALBH-AAT
- MTFC8GAMALBH-AIT
- MTFC4GACAJCN-4M IT
- MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
- MT25QU256ABA8ESF-0SIT
- PC28F128J3F75A
- MT25QL512ABB1EW9-0SIT
- MT25QL128ABA1EW9-0SIT
- HI3518ERNCV300
- Hi3516ERNCV200
- HI3516ERBCV300
- HI3516ERBCV100
- HI3516DRBCV300
- HI3516DRBCV200
- HI3516DRBCV100