IXFH80N65X2

IXFH80N65X2属性

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IXFH80N65X2描述

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 143 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 42 ns
30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 6 g

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