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LM258DR

LM258DR产品图片
  • 发布时间:2022/10/9 16:24:00
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市珩瑞科技有限公司
  • 联 系 人:李小姐
  • LM258DR供应商

LM258DR属性

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LM258DR描述

深圳市珩瑞科技有限公司,专业销售电子元器件,具有多年的集成电路销售经验。  
我们的优势是:货源直接、库存量大、质量保证、价格合理、交货快捷。
我们的宗旨是:客户至上。18898790342 QQ:2938238007 WX:A98790342
热烈欢迎广大客户朋友来电、来函,我们随时为您服务!
现货库存可配单出样,电子元器件一站式配单,热卖现货优势供应,因产品过多 ,我们未对产品一一进行参数描述,如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员,提供快速样品和整机配单配套服务,我们一定给到您满意的价格。(80种型号内当天17:00前下单当天发货,次日收到 )一八八九八七九零三四二

详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid LM258DR
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1503747488
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25
针数 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mexico
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
Date Of Intro 1989-03-01
风险等级 0.88
Samacsys Description Dual Operational Amplifier
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2022-06-29 06:25:36
YTEOL 15
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.3 μA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.15 μA
最小共模抑制比 70 dB
标称共模抑制比 80 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.03 μA
最大输入失调电压 5000 μV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
长度 4.9 mm
低-偏置 NO
低-失调 NO
微功率 NO
湿度敏感等级 1
功能数量 2
端子数量 8
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -25 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.24
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
包装方法 TR
峰值回流温度(摄氏度) 260
功率 NO
电源 +-1.5/+-15/3/30 V
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
标称压摆率 0.3 V/us
子类别 Operational Amplifier
最大压摆率 1.2 mA
供电电压上限 32 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 BIPOLAR
温度等级 OTHER
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
标称均一增益带宽 700 kHz
最小电压增益 25000
宽带 NO
宽度 3.9 mm


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联系方式
  • 联系人:李小姐
  • 地 址:深圳市福田区华强北街道华匀大厦2栋517室
  • 邮 编:518000
  • 电 话:86-0755-82578309/18898
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