PMV32UP,215 MOSFET NXP/恩智浦 封装SOT-23-3 批次22+

PMV32UP,215 MOSFET NXP/恩智浦 封装SOT-23-3 批次22+属性

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PMV32UP,215 MOSFET NXP/恩智浦 封装SOT-23-3 批次22+描述

PMV32UP,215 MOSFET NXP/恩智浦 封装SOT-23-3 批次22+

制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 15.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 930 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 33 ns
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 13 ns

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