FQP10N60C

FQP10N60C属性

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FQP10N60C描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 9.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 730 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 77 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 69 ns
系列: FQP10N60C
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 144 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQP10N60C_NL
单位重量: 2 g

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