IRF7809AVTRPBF

IRF7809AVTRPBF属性

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IRF7809AVTRPBF描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 13.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: IRF7809AVTRPBF SP001555654
单位重量: 540 mg

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