MOSFET

MOSFET属性

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MOSFET描述

IXFK94N50P2
制造商

IXFK94N50P2IXYS

系列

IXFK94N50P2HiPerFET™, PolarP2™
包装

管件
零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

IXFK94N50P2 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

94A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

55 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

220 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

13700 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-264AA（IXFK）

封装/外壳

TO-264-3，TO-264AA

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