AT49BV040B-JU

AT49BV040B-JU属性

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AT49BV040B-JU描述

特征
• 用于读取和写入的单电源：2.7V 至 5.5V
• 快速读取访问时间 – 70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）； 55 ns（VCC = 4.5V 至 5.5V）
• 内部程序控制和定时器
• 灵活的部门架构
– 一个带有编程锁定的 16K 字节引导扇区
– 两个 8K 字节的参数扇区
– 八个主内存扇区（一个 32K 字节，七个 64K 字节）
• 快速擦除周期时间 – 8 秒
• 逐字节编程——典型值为 10 μs/字节
• 硬件数据保护
• 用于程序结束检测的数据轮询或切换位
• 低功耗
– 20 mA 有源电流
– VCC = 2.7V 至 3.6V 的 25 μA CMOS 待机电流
– VCC = 4.5V 至 5.5V 的 30 μA CMOS 待机电流
• 最少 100,000 个写周期
1. 说明
AT49BV040B 是一款 2.7V 至 5.5V 的系统内可重编程闪存。它的
4 兆位内存按 8 位组织为 524,288 个字。制造与
Atmel 先进的非易失性 CMOS 技术，该设备提供了一个访问时间
70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）和 55 ns 的访问时间（VCC = 4.5V 至 5.5V）。这
VCC = 2.7V 至 3.6V 的工业温度范围内的功耗为 72
mW，VCC = 4.5V 至 5.5V 时为 110 mW。
当器件被取消选择时，CMOS 待机电流小于 30 μA。到
允许简单的系统内重新编程，AT49BV040B 不需要高
用于编程的输入电压。从设备读取数据类似于读取
来自 EPROM；它具有标准 CE、OE 和 WE 输入以避免总线争用。
对 AT49BV040B 的重新编程是通过擦除一个数据扇区然后
逐字节编程。字节编程时间为 10 μs。这
编程或擦除周期的结束可以通过 DATA 轮询或
切换位功能。一旦检测到一个字节程序周期的结束，一个新的
可以开始读取或程序访问。典型的编程和擦除次数
循环次数超过 100,000 次。
通过执行芯片擦除或扇区擦除命令序列来擦除设备；
设备内部控制擦除操作。内存数组
AT49BV040B 被组织成两个 8K 字节的参数扇区，八个主存储器
扇区和一个引导扇区。
设备具有保护引导扇区数据的能力；这个功能是
由命令序列启用。 16K 字节的引导扇区包括重新编程锁定功能以提供数据完整性。引导扇区旨在包含
用户安全代码，当启用该功能时，引导扇区将受到永久保护，不会被重新编程。

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