MRFE6VS25NR1
- 发布时间：2021/11/9 16:59:18
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市大唐盛世半导体有限公司
- 联 系 人：张先生
MRFE6VS25NR1属性
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- nxp
MRFE6VS25NR1描述
电 话：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
微信号：15096137729。13008842056
MRFE6VS25NR1 ： 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管。原装现货。
专为窄带和宽带 ISM、广播和航空航天应用而设计的射频功率晶体管，
工作频率范围为 1.8 至 2000 MHz。 这些器件使用恩智浦增强的耐用性平台制造，适用于遇到高 VSWR 的应用。
特征
工作频率范围宽
极端坚固
无与伦比，能够进行超宽带操作
集成稳定性增强
低热阻
扩展的 ESD 保护电路
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