FDMS6681Z

FDMS6681Z属性

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FDMS6681Z描述

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
onsemi

剪切带（CT）

零件状态
最后售卖
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21.1A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 22.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
241 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10380 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），73W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS6681

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