IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF属性

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IRF6775MTRPBF描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-MZ
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 89 W
通道模式: Enhancement
商标名: DirectFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 15 ns
高度: 0.7 mm
长度: 6.35 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.8 ns
工厂包装数量: 4800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 5.8 ns
典型接通延迟时间: 5.9 ns
宽度: 5.05 mm
零件号别名: IRF6775MTRPBF SP001562042
单位重量: 500 mg

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