NCV8402ADDR2G
- 发布时间：2021/9/7 11:09:50
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市百润电子有限公司
- 联 系 人：梁小姐
NCV8402ADDR2G属性
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- ON/安森美
NCV8402ADDR2G描述
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: NCV8402AD
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
单位重量: 74 mg
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