ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA属性

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ZXM62P02E6TA描述

BFS481
BFR540
CPH3120-TL-E
REG102NA-3.3/3K
REG102NA-3/3KG4
REG102NA-2.5/3KG4
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REG102NA-3/3K
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REG102NA-A/250G4
REG102NA-2.85/3K
REG102NA-2.85
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ZXM62P02E6TA
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ZXM66P03N8TA
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GLC555D
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 320pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6
TONY.ZOU（邹泽凯）
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