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IRF3205SPBF

IRF3205SPBF产品图片
  • 发布时间:2020/10/28 13:19:59
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市博浩宇科技有限公司
  • 联 系 人:邹泽凯
  • IRF3205SPBF供应商

IRF3205SPBF属性

  • 表面贴装型-N-通道
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

IRF3205SPBF描述

GN1A4M-T2
RN1907AFS
RN1907AFS
RTC6603
ML0308BMRG
IRF3205ZLPBF
IRF3205SPBF
2SC4504E-TD
RLZ TE-11 15C
RLZ TE-11 15B
RLZ-TE-116.8C
SFH4650
SGM4717EP-YWQ10/TR
PS2705-1-F4
STC3265Y
CM2838GDIM25TR
0494003.NR
BL8566-HPR6
BL8550-33CA
BL8550-33CB
IHT935
BAS32L
74LV595DB
BAS32L
BAS32L
MA8160-L(TX)+
D217
MT2302ACTR
MT2302ACTR
LM431ACZXA
BZD17C12P-E3-08
BZD17C12P-E3-08
TCFGB1A336M8R
BCP68
VT356FCX-ADJ
VT356FCX-ADJ
LM431ACZXA
TQM7M4006
FZT1149ATA
FZT491ATA
FZT692BTA
FZT749TA
FZT690BTA
FZT956QTA
FZT696BTA
FZT589TA
FZT649TA
FZT593TA
FZT957TA
LF3225-L1R2CABT/LF
MAZ8043GML+
MAZ8047GLL
MD4123
DXP18BN5014TL
EMFA0P02J
AK7730AVT
WCD-9320-0-84WLNSP
FSA831AL10X
FSA831AL10X
ZXMC4A16DN8TA
MAX3221ECAE
NLASB3157DFT2G
ESDAVLC8-1BU2
SB330-T
SB330-T
ZRL075M-5
2SB970-R(TX)
S8550 2TY
S8550M-C
N25Q128A13ESFC0F
N25Q128A11TF840F-ND
MDF10N60BTH
MDF10N60BTH
FDS6375
ST2149BQTR
ST2149BQTR
SM360B
N25Q128A13ESFC0F
N25Q128A11TF840F-ND
TSP20U60S S1G
2SD1949 Q
STG3856QTR
STMPS2141MTR
ST2149BQTR
STM1061N17WX6F
STG3693QTR
ST3485EBDR
STQ1NK60ZR-AP$F1
STA381BWTR
STBLC01QTR
BFR181
ST3222CTR
ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11KTC
ZXMN10A25GTA
0466003.NR
0467002.NR
0415CDMCBDS-2R2MC
046701.5NR
0434.750NR
0466002.NR
0451015.MRL
0452.750MRL
0468001.NR
0451012.MRL
TS3021ICT
TS3021ILT
MP1484EN-LF-Z
BA891
UDZV TE-178.2B
CDZT2R6.8B
IRLB3036PBF
LC1117CLTR25
LCMXO256C-4MN100C
LC1117CLTR33
LC1469CB5ATR28
LC9006CB3TR40C
IRLB3036PBF
TS912BIYDT
KDZ6.8CE-RTK/P
KDZ6.8V-RTK/P
KDZ6.8EV-RTK
C1165
LP2046QVF
IRFR3410PBF
HSM83TR
2SD1484K T146Q
2SD1483-(TX)+
2SD1484K T146R
G993P1UF
G993P1UF
STD1NK60T4
SMLP36RGB1W3 VM
BR93L66FV--WE2
ZM331643GTA
STA1037Y
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 62A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
TONY.ZOU(邹泽凯)
****************************************************************
深圳市博浩宇科技有限公司
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